缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括：批量式处理浴，该批量式处理浴用于以批量式方式处理基板；单一式处理腔室，该单一式处理腔室用于以单一式方式处理该基板；以及缓冲腔室，该缓冲腔室定位在在该批量式处理腔室与该单一式处理腔室之间传送的基板的传送路径上，并且供应用于维持该基板的润湿状态的液体。应用于维持该基板的润湿状态的液体。应用于维持该基板的润湿状态的液体。

【技术实现步骤摘要】
缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年06月24日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2022
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0077421的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0004]为了制造半导体元件，通过基板上的诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺的各种工艺而在基板(诸如晶圆)上形成期望的图案。在每个工艺中使用了各种处理液和处理气体，并且在工艺期间产生颗粒和工艺副产物。为了从基板去除基板上的薄膜、颗粒和工艺副产物，在每个工艺之前和之后执行用于基板的液体处理工艺。在一般的液体处理过程中，用化学品和冲洗液处理基板，然后干燥。在液体处理工艺中，可以剥离基板上的SiN。
[0005]用处理液(诸如，化学品和/或冲洗液)处理基板的基板处理方法可以分为共同处理竖直姿态的多个基板的批量式处理方法，以及逐一处理水平姿态的基板的单一式(single
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type)处理方法。
[0006]在用于共同处理多个基板的批量式处理方法中，多个基板以竖直姿态共同浸入处理浴(treating bath)中，化学品或冲洗液储存在该处理浴中以执行基板处理。为此，大规模处理基板是极好的，并且每个基板之间的处理质量是均匀的。然而，由于批量式处理方法以竖直姿态浸入，因此如果形成在基板上的图案具有高的纵横比，则在将基板从处理浴提升的过程中，在形成在基板上的图案中可能发生图案倾斜现象。此外，如果多个基板同时暴露于空气并且在短时间内不执行干燥，则在暴露于空气的一些基板中可能产生水印。
[0007]另一方面，在用于逐个处理基板的单一式处理方法的情况下，在将化学品或冲洗液供应至以水平姿态旋转的单个基板时执行基板处理。此外，在单一式处理方法中，图案倾斜现象的风险较低，因为传送的基板维持水平姿态，并且水印的风险较低，因为基板被逐个处理、并且经处理的基板被立即干燥或液体处理。然而，在单一式处理方法的情况下，大规模处理基板是较差的，并且与批量式处理方法相比，每个基板之间的处理质量相对不均匀。此外，如果基板旋转并离心干燥，如果形成在基板上的图案具有高的纵横比，则担心形成在基板上的图案可能塌陷。

技术实现思路

[0008]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。
[0009]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于改善基板处理的大规模生产的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。
[0010]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于相对地增加每个基板之间的处理质量的均匀性的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。
[0011]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于使形成在基板上的图案上产生的倾斜现象最小化的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。
[0012]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于有效地处理具有在其上形成有具有高纵横比的图案的基板的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。
[0013]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于在已经以批量式方式处理的基板被传送到单一式处理腔室的工艺期间、使在其上形成有图案的基板的顶表面的干燥最小化的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。
[0014]本专利技术构思的实施方案提供了用于在已经以单一式方式处理的基板被传送到单一式处理腔室的工艺期间、使用于传送基板的手部的污染最小化的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。
[0015]本专利技术构思的实施方案提供用于在将基板传送至执行单一式处理的腔室的工艺中、使用于传送基板的传送机械手的手部的污染最小化的缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法，在该基板上在顶表面上进行批量式处理、以便通过润湿液在基板上形成薄膜，从而防止自然干燥，并且该基板的底表面被清洁以执行批量式处理。
[0016]本专利技术构思的技术目标不限于上述的技术目的，并且根据下面的描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员将变得显而易见。
[0017]本专利技术构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：批量式处理浴，该批量式处理浴用于以批量式方式处理基板；单一式处理腔室，该单一式处理腔室用于以单一式方式处理该基板；以及缓冲腔室，该缓冲腔室定位在在批量式处理浴与单一式处理腔室之间传送的基板的传送路径上，并且供应用于维持基板的润湿状态的液体。
[0018]在实施方案中，缓冲腔室包括：卡盘，该卡盘用于支承和旋转基板；以及液体供应单元，该液体供应单元用于将液体供应到在卡盘上支承和旋转的基板。
[0019]在实施方案中，该液体供应单元包括：第一液体供应单元，该第一液体供应单元配置为将第一液体供应到支承在该卡盘上的基板的顶表面；以及第二液体供应单元，该第二液体供应单元配置为将第二液体供应到支承在卡盘上的基板的底表面。
[0020]在实施方案中，第二液体供应单元配置为供应第二液体，该第二液体具有比由第一液体供应单元供应的第一液体更高的挥发性。
[0021]在实施方案中，第二液体供应单元配置为供应第二液体，该第二液体为异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)。
[0022]在实施方案中，第一液体供应单元配置为供应第一液体，该第一液体为水。
[0023]在实施方案中，基板处理装置还包括控制器，该控制器配置成控制缓冲腔室，并且其中控制器控制缓冲腔室，使得在从液体供应单元供应液体的情况下、卡盘的旋转速度变为300RPM至500RPM。
[0024]在实施方案中，基板处理装置还包括控制器，该控制器配置为控制缓冲腔室和单一式处理腔室，并且其中控制器控制缓冲腔室和单一式处理腔室，使得缓冲腔室中基板的
处理时间短于单一式处理腔室中基板的处理时间。
[0025]在实施方案中，基板处理装置还包括姿态改变处理浴，该姿态改变处理浴定位在批量式处理浴与缓冲腔室之间，并且其中在姿态改变处理浴中储存的液体是与由液体供应单元供应的液体相同的液体。
[0026]在实施方案中，单一式处理腔室包括：单一式液体处理腔室，该单一式液体处理腔室用于通过将处理液供应至基板来处理基板；以及单一式干燥腔室，该单一式干燥腔室用于对基板进行干燥处理，并且其中，所述装置还包括传送机械手，该传送机械手用于在单一式液体处理腔室、单一式干燥腔室与缓冲腔室之间传送基板。
[0027]在实施方案中，传送机械手包括：第一手部；第二手部，该第二手部安装在低于第一手部的高度处；以及第三手部，该第三手部安装在低于第二手部的高度处。
[0028]在实施方案中，基板处理装置还包括控制器，该控制器配置为控制传送机械手，并且其中，控制器控制传送机械手，使得在传送在单一式干燥腔室处被干燥处理的基板的情况下使用第一手部，在传送在缓冲腔室处被润湿的基板的情况下使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：批量式处理浴，所述批量式处理浴用于以批量式方式处理基板；单一式处理腔室，所述单一式处理腔室用于以单一式方式处理基板；以及缓冲腔室，所述缓冲腔室定位在在所述批量式处理腔室与所述单一式处理腔室之间传送的所述基板的传送路径上，并且供应用于维持所述基板的润湿状态的液体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述缓冲腔室包括：卡盘，所述卡盘用于支承和旋转所述基板；以及液体供应单元，所述液体供应单元用于将液体供应到在所述卡盘上支承和旋转的所述基板。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述液体供应单元包括：第一液体供应单元，所述第一液体供应单元配置为将第一液体供应到支承在所述卡盘上的所述基板的顶表面；以及第二液体供应单元，所述第二液体供应单元配置为将第二液体供应到支承在所述卡盘上的所述基板的底表面。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第二液体供应单元配置为供应所述第二液体，所述第二液体具有比由所述第一液体供应单元供应的所述第一液体更高的挥发性。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第二液体供应单元配置为供应所述第二液体，所述第二液体为异丙醇IPA。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一液体供应单元配置为供应所述第一液体，所述第一液体为水。7.根据权利要求4至6中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述缓冲腔室，并且其中，所述控制器配置为控制所述缓冲腔室，使得在从所述液体供应单元供应液体的情况下、所述卡盘的旋转速度变为300RPM至500RPM。8.根据权利要求4至6中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述缓冲腔室和所述单一式处理腔室，并且其中，所述控制器配置为控制所述缓冲腔室和所述单一式处理腔室，使得所述缓冲腔室中所述基板的处理时间短于所述单一式处理腔室中所述基板的处理时间。9.根据权利要求2至6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括姿态改变处理浴，所述姿态改变处理浴定位在所述批量式处理浴与所述缓冲腔室之间，并且其中，在所述姿态改变处理浴中储存的液体是与由所述液体供应单元供应的液体相同的液体。10.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述单一式处理腔室包括：单一式液体处理腔室，所述单一式液体处理腔室用于通过将处理液供应至所述基板来处理所述基板；以及单一式干燥腔室，所述单一式干燥腔室用于对所述基板进行干燥处理；并且
其中，所述装置还包括传送机械手，所述传送机械手用于在所述单一式液体处理腔室、所述单一式干燥腔室与所述缓冲腔室之间传送所述基板。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述传送机械手包括:第一手部；第二手部，所述第二手部安装在低于所述第一手部的高度处；以及第三手部，所述第三手部安装在低于所述第二手部的高度处。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述传送机械手，并且其中，所述控制器配置为控制所述传送机械手，使得在传送在所述单一式干燥腔室处被干燥处理的所述基板的情况下、使用所述第一手部，在传送在所述缓冲腔室处被润湿的所述基板的情况下、使用所述第三手部，并且在将所述基板从所述单一式液体处理腔室传送到所述单一式干燥腔室的情况下、使用所述第二手部。13.根据权利要求4至6中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊铉，崔峻荣，张瑛珍，朴贵秀，李暎熏，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：