衬底处理装置和衬底处理方法制造方法及图纸

一种衬底处理装置，包括：清洗设备，用于清洗衬底；以及干燥设备，用于使用超临界气体对由清洗设备清洗后的衬底进行干燥，其中，清洗设备包括硫酸清洗室。设备包括硫酸清洗室。设备包括硫酸清洗室。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置和衬底处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年5月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0061322的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。


[0003]本公开的实施例涉及衬底处理装置和衬底处理方法。

技术介绍

[0004]在半导体制造工艺的衬底工艺中，衬底可以在一般清洗之后经过超临界气体干燥处理。也就是说，衬底可以在一般清洗处理之后，在用超临界气体进行干燥之前被湿传送到超临界气体干燥机，并且干燥处理可以被执行。
[0005]同时，在单独的衬底工艺中，可以执行硫酸清洗，其中包含硫酸和过氧化氢的混合物的清洗溶液可以用于剥离涂敷在衬底上的抗蚀剂或去除附着到衬底表面的有机物质。
[0006]一般衬底处理装置可以具有超临界气体干燥设备与一般清洗设备一起配置的安装结构，并且可以不具有与硫酸清洗设备相关联的结构。

技术实现思路

[0007]本公开的实施例提供一种衬底处理装置和衬底处理方法，可以在用硫酸清洗衬底之后用超临界气体对衬底进行干燥。
[0008]根据本公开的实施例，一种衬底处理装置，包括：清洗设备，用于清洗衬底；以及干燥设备，用于使用超临界气体对由清洗设备清洗后的衬底进行干燥，其中，清洗设备包括硫酸清洗室。
[0009]清洗设备可以包括至少一个第一处理槽和至少一个第二处理槽，并且第一处理槽和第二处理槽中的至少一个可以包括硫酸清洗室，并且干燥设备可以包括至少一个第三处理槽，并且第三处理槽可以是超临界气体干燥室。
[0010]第一处理槽和第二处理槽之一可以是使用作为清洗溶液的SC1、HF、LAL和IPA之一的一般清洗室，并且其中另一处理槽可以是硫酸清洗室。
[0011]第一处理槽和第二处理槽可以用作硫酸清洗室和使用作为清洗溶液的SC1、HF、LAL和IPA之一的一般清洗室。
[0012]根据本公开的实施例，一种衬底处理方法包括：清洗衬底的清洗步骤；以及用超临界气体对清洗后的衬底进行干燥的超临界干燥步骤，其中，清洗步骤包括硫酸清洗步骤。
[0013]清洗步骤可以包括：用作为清洗溶液的SC1、HF、LAL和IPA之一清洗衬底的一般清洗步骤；以及用硫酸清洗衬底的硫酸清洗步骤，可以顺序地执行一般清洗步骤、硫酸清洗步骤和超临界干燥步骤。
[0014]清洗步骤可以包括：用作为清洗溶液的SC1、HF、LAL和IPA之一清洗多个衬底的一部分的一般清洗步骤；以及用硫酸清洗多个衬底的剩余部分的硫酸清洗步骤，可以顺序地
执行一般清洗步骤和超临界干燥步骤，并且可以顺序地执行硫酸清洗步骤和超临界干燥步骤。
附图说明
[0015]根据结合附图的以下具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
[0016]图1是示出了一般衬底处理装置的图；
[0017]图2是示出了根据本公开的第一实施例的衬底处理装置的图；
[0018]图3是示出了根据本公开的第二实施例的衬底处理装置的图；
[0019]图4是示出了根据本公开的第三实施例的衬底处理装置的图；
[0020]图5是示出了根据本公开的第一实施例的衬底处理方法的图；
[0021]图6是示出了根据本公开的第二实施例的衬底处理方法的图；以及
[0022]图7是示出了根据本公开的第三实施例的衬底处理方法的图。
具体实施方式
[0023]在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
[0024]在附图中，相同的元件将由相同的附图标记指示。此外，将省略可能不必要地使本公开的要点模糊的已知功能和元件的冗余描述和详细描述。在附图中，某些元件可能被夸大、省略或简要说明，并且元件的尺寸不一定反映这些元件的实际尺寸。此外，术语“上”、“上部”、“上表面”、“下”、“下部”、“下表面”、“侧表面”是基于附图的，并且可以在设置部件的方向上变化。
[0025]在实施例中，术语“连接”可以不仅指“直接连接”，还包括通过粘合层等方式的“间接连接”。此外，术语“电连接”可以包括“物理地连接”元件的情况和“未物理地连接”元件的情况两者。描述中的术语“包括”、“包含”、“被配置为”等可以用于指示特征、数字、步骤、操作、元件、部分或其组合的存在，并且不排除组合或添加一个或多个特征、数字、步骤、操作、元件、部分或其组合的可能性。
[0026]图1是示出了一般衬底处理装置的图。
[0027]参照附图，索引(index)模块20可以从外部接收衬底，并且可以向工艺模块30传送衬底。索引模块20可以是设备前端模块(EFEM)。
[0028]装载端口10可以设置在索引模块20的前端上。容纳衬底的容器可以设置在装载端口10中。可以使用前开式晶圆盒(front opening unified pod)(FOUP)作为容器。容器可以从外部运入装载端口10，或者可以通过空中走行式无人搬运车(overhead hoist transfer)(OHT)从装载端口10运出。
[0029]索引模块20可以在设置在装载端口10上的容器与工艺模块30之间传送衬底。为此，索引模块20可以包括在索引轨上移动的索引机器人。
[0030]工艺模块30可以包括缓冲室31、传送室32和多个工艺室33。缓冲室31可以提供在索引模块20与工艺模块30之间传送的衬底暂时停留的空间。可以在缓冲室31内设置多个缓冲槽。索引模块20的索引机器人可以从装载端口的容器中取出衬底，并且可以将衬底设置在缓冲室的缓冲槽中。
[0031]传送室32的传送机器人(MTR，主传送机器人)可以将设置在缓冲槽中的衬底取出，并且可以向多个工艺室33中的预定工艺室(例如，第一处理槽(treatment tank))传送衬底。此外，传送室32的传送机器人可以将衬底从多个工艺室33之一(例如，第一处理槽)传送到另一工艺室(例如，第三处理槽)。
[0032]多个工艺室33可以线性布置，可以竖直堆叠，或者可以以上述两种方式布置。如图所示，多个部分工艺室(一侧的第一处理槽和第三处理槽)和多个其他工艺室(另一侧的第二处理槽和第三处理槽)可以设置在传送室32的两侧。多个工艺室33的布置不限于以上示例，并且可以考虑衬底处理装置的占地面积或工艺效率而改变。
[0033]如图2至图4所示，实施例可以包括清洗设备100和干燥设备200。清洗设备100可以清洗衬底。清洗设备100可以包括至少一个第一处理槽110和至少一个第二处理槽120。在这种情况下，第一处理槽110和第二处理槽120中的至少一个可以包括硫酸清洗室S。
[0034]干燥设备200可以包括至少一个第三处理槽210，并且第三处理槽210可以是超临界气体干燥室D。
[0035]图2是示出了根据第一实施例的衬底处理装置的图。
[0036]参照附图，在清洗设备100中，第一处理槽11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：清洗设备，用于清洗衬底；以及干燥设备，用于使用超临界气体对由所述清洗设备清洗后的所述衬底进行干燥，其中，所述清洗设备包括硫酸清洗室。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述清洗设备包括至少一个第一处理槽和至少一个第二处理槽，并且所述第一处理槽和所述第二处理槽中的至少一个包括所述硫酸清洗室，并且其中，所述干燥设备包括至少一个第三处理槽，并且所述第三处理槽是超临界气体干燥室。3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一处理槽和所述第二处理槽之一是使用作为清洗溶液的SC1、HF、LAL和IPA之一的一般清洗室，并且其中另一处理槽是所述硫酸清洗室。4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一处理槽和所述第二处理槽用作所述硫酸清洗室和使用作为清洗溶液的SC1、HF、LAL和IPA...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔龙贤，金禹永，秦东奎，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：