基板清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种基板清洗装置，基板浸没于清洗槽内的清洗剂中，磁场发生模块用于为所述清洗剂提供匀强磁场，所述匀强磁场穿过所述基板；超声波发生模块用于向所述清洗剂提供超声波，所述超声波的方向与所述匀强磁场的方向不平行

【技术实现步骤摘要】
基板清洗装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种基板清洗装置
。

技术介绍

[0002]在半导体制造工序中，颗粒附着于基板成为左右产品成品率的较大因素
。
因此，需要对基板进行去除颗粒的清洗工艺
。
[0003]目前业内普遍采用湿法清洗工艺清洗基板，湿法清洗工艺的清洗剂可以使用
SPM
清洗剂
(
硫酸
/
过氧化氢混合溶液
)、SC
‑1清洗剂
(1
号清洗液
)、DHF
清洗剂
(
稀氢氟酸溶液
)、
超纯水或功能水
(
脱气水
、
氢气水等
)
等，清洗前通常会对清洗剂进行升温，以提高清洗剂的离子活性，提高清洗效果和效率
。
例如，
SPM
清洗剂会被加热至
90℃
～
130℃
，
SC
‑1清洗剂会被加热至
30℃
～
80℃
，
DHF
清洗剂被加热至
25℃
～
50℃
，超纯水或功能水则会被加热至
130℃
以上
。
[0004]较高的清洗温度会造成能耗增加并产生安全隐患，且为了增强清洗能力还需要增加清洗剂的用量，从而产生化学排放污染增加及成本上升的问题
。
专利技术内容
[0005]本专利技术的目的在于提供一种基板清洗装置，以解决现有的基板清洗装置能耗大
、
污染重
、
清洗成本高以及不安全的问题
。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种基板清洗装置，包括：
[0007]清洗槽，用于容纳清洗剂，基板浸没于所述清洗剂中；
[0008]磁场发生模块，用于向所述清洗剂提供匀强磁场，所述匀强磁场穿过所述基板；以及，
[0009]超声波发生模块，用于向所述清洗剂提供超声波，所述超声波的方向与所述匀强磁场的方向不平行
。
[0010]可选的，所述磁场发生模块包括：
[0011]两个半径相等的环形线圈，设置于所述清洗槽外，且位于所述清洗槽相对的两侧，两个所述环形线圈上施加有大小相等且方向相同的电流
。
[0012]可选的，所述磁场发生模块包括：
[0013]两个磁体，设置于所述清洗槽外，且位于所述清洗槽相对的两侧
。
[0014]可选的，所述清洗剂包括硫酸及过氧化氢，清洗温度为
55℃
～
70℃。
[0015]可选的，所述清洗剂包括氢氧化铵及过氧化氢，清洗温度为
30℃
～
50℃。
[0016]可选的，所述清洗剂包括氢氟酸，清洗温度为
25℃
～
35℃。
[0017]可选的，所述清洗剂为超纯水
、
脱气水或氢气水，清洗温度为
30℃
～
75℃。
[0018]可选的，所述超声波的频率为
200kHz
～
2MHz
；和
/
或，所述匀强磁场的磁场强度为
10mT
～
200mT。
[0019]可选的，所述匀强磁场垂直穿过所述基板，所述超声波的方向与所述匀强磁场的
方向垂直
。
[0020]可选的，所述基板为掩模板或晶圆
。
[0021]本专利技术提供的基板清洗装置具有如下有益效果：
[0022]1)
在所述匀强磁场的作用力下，所述清洗剂中的带电离子受洛伦兹力影响，运动加快，离子活性增强，从而在较低的温度下也能够具有较强的清洗效果
。
[0023]2)
所述清洗剂在所述超声波的作用下产生超声空化效应
(
所述清洗剂中的微小气泡的体积经历生长振荡而最终迅速崩溃
(
内爆
)
的过程
)
，产生的冲击波可以频繁撞击所述基板的表面，从而去除所述基板表面的颗粒，并加速所述清洗剂与所述基板的接触，以此增加清洗效果
。
[0024]3)
超声空化效应形成的空化气泡附近的流体以与超声脉冲频率成正比的速度运动，所述匀强磁场作用于所述空化气泡附近的流体中，从而加速流体中带电离子的运动，从而增加清洗效果
。
[0025]4)
本专利技术提供的基板清洗装置清洗效果好，能够解决现有的基板清洗装置能耗大
、
污染重
、
清洗成本高以及不安全的问题
。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例提供的基板清洗装置的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的磁场发生模块的具体结构示意图；
[0028]其中，附图标记为：
[0029]100
‑
清洗槽；
201
‑
第一环形线圈；
202
‑
第二环形线圈；
300
‑
超声波发生模块；
400
‑
基板；
E
‑
匀强磁场；
I1、I2
‑
电流
。
具体实施方式
[0030]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述
。
根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚
。
需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便
、
明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的
。
[0031]图1为本实施例提供的基板清洗装置的结构示意图
。
如图1所示，所述基板清洗装置用于对一基板
400
进行湿法清洗，从而去除所述基板
400
表面的颗粒，所述基板
400
可以是掩模板或晶圆等半导体基板，本专利技术不作限制
。
所述基板清洗装置包括清洗槽
100、
磁场发生模块及超声波发生模块
300。
[0032]具体而言，所述清洗槽
100
用于容纳清洗剂，所述基板
400
浸没于所述清洗剂中一定时间，从而完成清洗过程
。
当然，所述基板
400
从所述清洗槽
100
取出后，还可以经过一系列处理，例如去离子水冲洗
、
甩干等
。
[0033]本实施例中，所述基板
400
沿
Y
方向放置于所述清洗槽
100
内，所述基板
400
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基板清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽，用于容纳清洗剂，基板浸没于所述清洗剂中；磁场发生模块，用于向所述清洗剂提供匀强磁场，所述匀强磁场穿过所述基板；以及，超声波发生模块，用于向所述清洗剂提供超声波，所述超声波的方向与所述匀强磁场的方向不平行
。2.
如权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述磁场发生模块包括：两个半径相等的环形线圈，设置于所述清洗槽外，且位于所述清洗槽相对的两侧，两个所述环形线圈上施加有大小相等且方向相同的电流
。3.
如权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述磁场发生模块包括：两个磁体，设置于所述清洗槽外，且位于所述清洗槽相对的两侧
。4.
如权利要求1～3中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述清洗剂包括硫酸及过氧化氢，清洗温度为
55℃
～
70℃。5.
如权利要求1～3中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述清洗剂包括氢氧化铵及过氧化氢，清洗温度为
...

【专利技术属性】
技术研发人员：任雨萌，季明华，林岳明，冯涛，李元贞，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：