一种无电容式动态随机存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种无电容式动态随机存储器，属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明专利技术存储器包括源区，漏区，源漏之间的沟道，和沟道上的栅区，其特征在于，源区和漏区是宽禁带的能带工程材料，其导带和硅相同，但价带低于硅，两者的价带差＞０ｅＶ且≤０．５ｅＶ，比如０．３ｅＶ。所述宽禁带的能带工程材料优选为碳化硅。本发明专利技术无电容式动态随机存储器可以提高栅长的等比例缩小能力，提高信号电流和保持时间，实现更高的存储密度，在高密度，高性能ＤＲＡＭ应用中，有着明显的优势和广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及动态随机存储器(DRAM)，尤其涉及一种源漏能带工程无电容式DRAM， 属于超大规模集成电路中的半导体存储器

技术介绍
半导体存储器是半导体产业的重要组成部分，动态随机存储器(DRAM)是最重要的 存储器之一，被认为是半导体技术节点的推动和领航者。传统的DRAM基于一个晶体管 和一个电容的结构(1T/1C)，晶体管控制信息的读取和写操作，电容储存电荷信息。不 断降低单元成本，提高动态随机存储器的密度和容量，是DRAM取得商业成功的关键。 但是在DRAM工艺进入亚lOOnm以后，在小面积上制作可靠的大电容面临严峻的挑战。 为了保持足够的信噪比，存储电容至少需要30fF。在传统的DRAM工作原理下，30fF的 存储电容限制不会随着器件单元尺寸的縮小而縮小。为了提升1T/1CDRAM性能，新介电 常数材料和新的单元结构已被广泛运用，如采用高介电常数材料用作电容的介质，釆用沟 槽形式的电容结构，但这些技术都使得工艺复杂，加工成本大大增加。这种情况下， 一种无电容式的DRAM被提出(Charles Kuo，Tsu-Jae King, and Chenming Hu.，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无电容式动态随机存储器，包括源区，漏区，所述源漏之间的沟道，和所述沟道上的栅区，其特征在于，所述源区和漏区是宽禁带的能带工程材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐粕人，吴大可，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]