【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体加工设备，尤其涉及一种反应腔室及化学气相沉积设备。
技术介绍
在微电子基片或太阳能电池基片加工过程中，广泛用到化学气相沉积设备。如图1所示，现有技术中的化学气相沉积设备包括进气管路1、反应腔室2、待处理 基片3、基片载板4、滤网5、抽气管路6等。抽气管路6安装在反应腔室2的下方，滤网5安 装在抽气管路6内靠近反应腔室2的位置，用于过滤残气中的粉尘。在化学气相沉积工艺过程中，由抽气管路6为反应腔室2提供真空环境，反应腔室 2通过加热、射频、微波等方式注入能量，由进气管路1导入反应气体，反应气体在反应腔室 2中进行化学反应，生成物沉积在基片3上，残气经过滤网5过滤，由抽气管路6经真空泵排 出ο上述现有技术至少存在以下缺点对于化学气相沉积设备，理想的情况是反应生成物仅在待处理的基片3表面发生 化学反应并沉积生成物，而在其他位置(如反应腔室侧壁、基片载板、抽气管路等)不发生 化学反应和沉积作用。但这在实际中是不可避免的，化学反应不可避免的在反应腔室的其 他位置发生，产生的固态反应产物会不断堆积在滤网上方，造成整个设备的抽气能力逐渐 下降，并影响...
【技术保护点】
一种反应腔室，所述反应腔室的下方设有抽气管路，其特征在于，所述抽气管路靠近反应腔室的一段为向下的折弯型，所述抽气管路的折弯型部位背离所述反应腔室排气口的一侧安装有滤网。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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