一种改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种改低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法。本发明专利技术的改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法，在沉积工艺完成后，将晶舟从反应管中取出，改变反应管内的温度，使反应管表面比较脆弱的薄膜因温度冲击而剥落；然后，通入气体清洗反应管，去除剥落的薄膜。通过在沉积完成后，较大幅度的改变反应管的温度，可以使即将剥落的薄膜因温度的冲击而剥落，然后用惰性气体将剥落的薄膜清洗出，便会大大减少在沉积过程中可能发生的薄膜剥落和粒子污染，减少对产品的损害，提高产品的合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺
，且特别涉及一种改低压化学气 相沉积设备中粒子污染的方法。
技术介绍
在半导体技术大发展的今天，低压化学气相沉积设备(LPCVD)广泛 的应用于多晶硅、二氧化硅以及氮化硅等薄膜的沉积。在LPCVD设备使 用过程中，工艺过程中温度和压力时常变化。随着反应管表面薄膜的累积 以及长时间温度、压力等参数的改变，导致薄膜变的越来越脆弱而容易剥 落。在设备内部的温度压力变化时，反应管表面比较脆弱的薄膜会因为温 度的冲击而剥落如该剥落发生在沉积过程中，剥落的薄膜及粒子会粘染到 晶舟上的晶片上，便会使产品受到污染和/或损害，从而影响产品的性能和 合格率。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的便是提供一种改善LPCVD设备中粒子 污染的方法，以减少对产品的污染和/或损害，提高产品合格率。本专利技术的技术方案为，在沉积工艺完成后，将晶舟从反应管中取出，改变反应管内的温度， 使反应管表面比较脆弱的薄膜因温度冲击而剥落；然后，通入气体清洗反应管，去除剥落的薄膜。上述改变反应管内的温度可以包括温度升高和温度降低。3上述温度升高或降低的幅度大于100'C 。上述气体可以为惰性气体。上述气体可以为氮气或氩气。通过在沉积完成后，较大幅度的改变反应管的温度，可以使即将剥落 的薄膜因温度的冲击而剥落，然后用惰性气体将剥落的薄膜清洗出，便会 大大减少在沉积过程中可能发生的的薄膜剥落和粒子污染，减少对产品的 损害，提高产品的合格率。附图说明图1表示在沉积过程中LPCVD设备中反应管薄膜剥落的发生。 图2、图3表示本专利技术的一个实施例的实现过程。具体实施例方式下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。对于 所属
的技术人员而言，从对本专利技术的详细说明中，本专利技术的上述 和其他目的、特征和优点将显而易见。图1表示在沉积过程中LPCVD设备中反应管薄膜剥落的发生。参见 图l，其中l为反应管的外管，2为反应管的内管，4为挡板，3为晶舟， 用于承载晶片等待处理的产品。在长时间使用后内、外管2表面会生成一 层薄膜，而在长时间温度和压力等参数的变化将导致该薄膜变得越来越脆 弱而容易剥落，在沉积工艺中温度和压力会因沉积工艺的需求而变化，该 变化很容易会引起脆弱的薄膜的剥落，如图1中反应管内的小箭头8所示， 该剥落的薄膜或粒子会使产品受到污染和/或损害。图2、图3表示本专利技术的一个实施例的实现过程。参见图2，在沉积完成，晶舟3从反应管中移出。改变反应管内的温 度，使较为脆弱的薄膜因温度的改变而剥落。由于此时反应管中没有待处 理的产品，因此不会对产品造成影响和/或损害。该温度的变化可以是升高 或降低，也可以是交替的升高和降低，升高或降低的幅度一般大于IO(TC，当然，不应超过设备可以承受的最高温度。参照图3，用例如氮气、氩气等的惰性气体9清洗反应管，使剥落的薄膜和粒子被冲洗出来。该清洗可以与温度的变化同时进行，也可以晚于 温度变化的进程，但至少应当在温度变化后，期望剥落的薄膜剥落后，将剥落的薄膜清洗出去；其中，清洗气体可以从排气口 5排出。这样，在下 次的沉积中便不会有(或基本上不会有)薄膜的剥落，可以大大减少可能 发生的薄膜剥落和粒子对产品的污染和/或损害。虽然，本专利技术己通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离 本专利技术精神及其实质的情况下，所属
的技术人员当可根据本专利技术 作出各种相应的变化和修正，但这些相应的变化和修正都应属于本专利技术的 权利要求的保护范围。权利要求1. ，其特征在于在沉积工艺完成后，将晶舟从反应管中取出，改变反应管内的温度，使反应管表面比较脆弱的薄膜因温度冲击而剥落；然后，通入气体清洗反应管，去除剥落的薄膜。2. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于上述改变反应管内的温度 包括温度升高和温度降低。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于上述温度升高或降低的幅 度大于10(TC。4. 根据权利要求l-3中任一项所述的方法，其特征在于上述气体为惰 性气体。5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于上述气体为氮气或氩气。全文摘要本专利技术涉及半导体制造工艺
，且特别涉及一种改低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法。本专利技术的改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法，在沉积工艺完成后，将晶舟从反应管中取出，改变反应管内的温度，使反应管表面比较脆弱的薄膜因温度冲击而剥落；然后，通入气体清洗反应管，去除剥落的薄膜。通过在沉积完成后，较大幅度的改变反应管的温度，可以使即将剥落的薄膜因温度的冲击而剥落，然后用惰性气体将剥落的薄膜清洗出，便会大大减少在沉积过程中可能发生的薄膜剥落和粒子污染，减少对产品的损害，提高产品的合格率。文档编号C23C16/44GK101451235SQ20071018779公开日2009年6月10日 申请日期2007年11月30日 优先权日2007年11月30日专利技术者柴利林 申请人:和舰科技(苏州)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法，其特征在于　在沉积工艺完成后，将晶舟从反应管中取出，改变反应管内的温度，使反应管表面比较脆弱的薄膜因温度冲击而剥落；　然后，通入气体清洗反应管，去除剥落的薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柴利林，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]