具有一体扩散器框架的化学汽相沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种化学汽相淀积装置，其包括：箱体；基座，位于该箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将该箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接上部空间和下部空间的多个喷射孔；气体注入管，通过扩散器的喷射孔，向箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安装在箱体和扩散器之间；其中扩散器周边延长到陶瓷结构的部分表面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学汽相沉积装置。
技术介绍
一般来说，化学汽相沉积(CVD)是将形成在面板上，构成薄膜材料元素的一种或一种以上化合物及混合气体提供给面板并且利用其化学反应形成薄膜的方法。通常提供两种以上气体进行混合化学反应，广泛地应用在诸如薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)这样的半导体元件制造工序中的多种薄膜的制造上。在这种化学汽相沉积装置中特别是扩散器(Diffuser)，具有将气体均匀扩散在面板上的扩散作用，同时还起到等离子体电极作用。图4是传统扩散器框架两侧的放大图。这种与扩散器连接起电极扩展作用的扩散器框架70b和扩散器70之间存在一定缝隙，扩散器框架70b和扩散器70由诸如铝等金属制造。所以当给扩散器70提供高射频(RF)电力时，在这种缝隙中产生电弧。扩散器框架70b和扩散器70的表面形成诸如Al2O3等氧化膜，电弧能消除该氧化膜，扩散器70被熔化滴落到下部。因电弧从扩散器70表面铝被熔化滴落到面板上，出现飞溅缺陷(Splash defect)，从而沉积的薄膜质量下降。此外，为了连接扩散器框架70b和扩散器70使用的螺栓1和扩散器框架70b之间也存在一定缝隙，在这里也产生电弧。因此，从螺栓1掉微细粒子以造成缺陷。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面提供一种化学汽相沉积装置，其包括箱体；基座，位于该箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将该箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接上部空间和下部空间的多个喷射孔；气体注入管，通过扩散器的喷射孔向箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安装在箱体和扩散器之间；其中扩散器周边延长到陶瓷结构的部分表面上。优选地，扩散器的周边形成L字型，扩散器由铝或不锈钢组成。根据本专利技术的另一个方面提供一种化学汽相沉积装置，其包括箱体；基座，位于该箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将该箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接上部空间和下部空间的多个喷射孔；扩散器框架，沿着扩散器周边与扩散器形成一体；气体注入管，通过扩散器的喷射孔向箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安装在箱体和扩散器之间。附图说明本专利技术将通过参照附图详细地描述其实施例而变得更加明显，其中图1是根据本专利技术一实施例的化学汽相沉积装置的示意图；图2是图1所示扩散器框架两侧的放大图；图3是图1所示扩散器的平面图；以及图4是传统扩散器框架两侧的放大图。图中主要附图标记如下10箱体 20箱体盖40基座 50玻璃面板70扩散器70a喷射孔70b扩散器框架 80a气体注入管具体实施方式现将本专利技术参照附图，在下文中更全面地描述，其中示出了本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。图1是根据本专利技术一实施例的化学汽相沉积装置的示意图。参照图1，根据本专利技术一实施例的化学汽相沉积装置，包括由反应气体沉积薄膜的反应空间箱体100，该反应空间与外部隔绝。在这里箱体100包括箱体下部10及箱体盖20。箱体下部10组成箱体100的下部，箱体盖20组成箱体100的上部。为了反应空间和外部的有效隔绝，箱体盖20和箱体下部10的结合部安装O型环。在箱体下部10的侧壁上安装槽阀(slot valve)60，为了从装料锁(未示出)给箱体下部10内送入玻璃面板50应打开槽阀60。在箱体下部10的内部安装基座40，其上安装玻璃面板50。基座40可以由基座移动装置45上下移动。在基座40内部可以安装加热器(未示出)，用于加热安装在其上的玻璃面板50。在箱体100内，用于注入气体的气体排管400和箱体盖20的接合部安装气体注入管80a。此外，在气体注入管80a前面安装挡板(止动件)90。这种挡板90支撑扩散器70，且因为是导电体可以作为射频(RF)电力向扩散器传递的传递金属。还有，通过气体注入管80a流入的反应气体碰到挡板90内的扩散板90a上，在挡板90内充分混合，绕着扩散板90a扩散到扩散器的周围。在挡板90下部，按一定间隔安装扩散器70。这种扩散器70具有将反应气体均匀地扩散到玻璃面板上的扩散作用，同时它还起等离子体电极作用。面对玻璃面板50的扩散器70表面上形成多个喷射孔70a，气体注入管80a提供给扩散器的气体通过喷射孔70a均匀地喷射在玻璃面板的整体表面上，通过排气管80b排除注入的气体。此外，扩散器70连接射频(RF)电力产生器200，使扩散器同时起到等离子体电极作用，同时将基座40接地。射频(RF)电力产生器200产生的电力，通过射频(RF)匹配器300调谐，通过气体注入管80a传送到挡板90。然后，向连接在挡板90的扩散器传送射频(RF)电力。因为扩散器70起等离子体电极作用，所以由导电体诸如铝等组成。在这里为了防止等离子体产生的电弧或保护表面，一般其表面用氧化膜进行阳极处理。另外，起到扩散器70电极扩张作用的扩散器框架70b与扩散器70在扩散器周边形成一体。优选地，扩散器70厚度比扩散器框架70b的厚度厚。随后扩散器框架70b形成L字型。图2是只放大图1所示的扩散器框架部分，图3是图1所示的扩散器平面图。如图2及图3所示，为了防止箱体盖20和扩散器70之间电弧的产生而设置的扩散器框架70b延长到绝缘体陶瓷扩散器部分表面上，这种扩散器框架70b与扩散器70形成一体。将扩散器框架70b和扩散器70组成一体，从而防止传统的连接扩散器框架70b和扩散器70的螺栓引起的微细粒子产生，防止扩散器框架70b和扩散器70之间缝隙产生的电弧引起的飞溅缺陷，因此可以防止沉积薄膜质量下降。本专利技术提供的化学汽相沉积装置，将扩散器框架与扩散器制造成一体，从而防止扩散器框架与扩散器之间缝隙产生的由电弧引起的飞溅缺陷。另外，将扩散器框架和扩散器制造成一体，从而防止传统扩散器框架与扩散器连接螺栓引起的微细粒子产生。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的权利要求范围之内。权利要求1.一种化学汽相淀积装置，包括箱体；基座，位于所述箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将所述箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接所述上部空间和所述下部空间的多个喷射孔；气体注入管，通过所述扩散器的喷射孔向所述箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安装在所述箱体和所述扩散器之间；其中所述扩散器周边延长到所述陶瓷结构的部分表面上。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述扩散器周边形成L字型。3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述扩散器由铝或不锈钢组成。4.一种化学汽相淀积装置，包括箱体；基座，位于所述箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将所述箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接所述上部空间和所述下部空间的多个喷射孔；扩散器框架，沿着所述扩散器周边与所述扩散器形成一体；气体注入管，通过所述扩散器的喷射孔向所述箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安装在所述箱体和所述扩散器之间。全文摘要本专利技术提供一种化学汽相淀积装置，其包括箱体；基座，位于该箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将该箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接上部空间和下部空间的多个喷射孔；气体注入管，通过扩散器的喷射孔，向箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学汽相淀积装置，包括：箱体；基座，位于所述箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将所述箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接所述上部空间和所述下部空间的多个喷射孔；气体注入管，通过所述扩散器的喷射孔向所述箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安装在所述箱体和所述扩散器之间；其中所述扩散器周边延长到所述陶瓷结构的部分表面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李澔，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]