具有存取通道的化学气相淀积腔制造技术

具有存取通道的化学气相淀积腔，用于处理一基板，具有一支撑该基板的台座，该台座可在该淀积腔体中沿着一台座轴进行垂直方向移动；穿过该台座的基板顶针，用于在该台座内载入和载出基板时支撑该基板，其周围分别穿设一轴衬；一腔体盖，用于覆盖该腔体以形成一封闭空间；及一扩散器，用于将制程气体扩散至该腔体中，其中，该淀积腔的底部在该基板顶针的正下方形成存取通道；及数个插塞件分别可插入该存取通道以保持淀积腔内的密封真空状态。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学气相淀积腔，特别是涉及可以减少重新校正台座与扩散器间相对位置频率的具有存取通道的化学气相淀积腔。
技术介绍
在平面显示器的制程中，由于需要在玻璃基板上制作晶体管组件，因此在制程中需要镀上不同的材质，诸如SiO2、SiNx、a-Si与n+a-Si等薄膜。目前多采用等离子体增强化学气相淀积系统(PECVD，Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)来形成薄膜。PECVD是在一真空系统中，通入制程气体后以一等离子机台激发等离子、解离制程气体活化其反应，解离后的制程气体离子可利用电场等使其具有方向性来加快制程速度。用于这种淀积制程的淀积腔10的构造如图5所示，该淀积腔10与外界隔绝以形成反应空间。该淀积腔10包括一上盖12及一腔体14。一O型环16是设置在该上盖12及腔体14之间，以使淀积腔10与外界之间呈现密闭的状态。所述的上盖12是借助于一腔体盖22与外界隔绝。该腔体盖22内横向设置有背衬板(Backing Plate)34及一扩散器(Diffuser)30。制程气体通过一气体管线(图中未示)将一设置在淀积腔10外的制程气体源，通过一气体入70，并穿过背衬板34的中间，而被喷射入该背衬板34下的空间内。该被喷射的制程气体首先通过一位于该背衬板34下方的非必要的一隔板35扩散后，在隔板及背衬板34的下方，通过在扩散器30上，外形为一平板且其上形成许多小孔的喷头而被喷向一基板的上表面，该基板被放置在一台座(susceptor)60上。一射频(radio frequency)电源80连接到该背衬板34及扩散器30，并提供激发使被喷射的流经该扩散器30的制程气体活化，因而在基板上淀积成薄膜。亦即，该背衬板34及扩散器30作为一上方电极。腔体14的侧壁是与上盖12的腔体盖22结合，如上所述，O型环16设置于该上盖12及腔体14之间。台座60设置在该腔体14内，可在该淀积腔10中沿着一台座轴61进行垂直方向移动。台座60距离扩散器30有一段距离，且面向扩散器30，而基板是放置在该台座60的上表面。该台座60内设置一加热器62，用于对放置在该台座60上的基板加热至一适当的温度，以在淀积制程中进行薄膜淀积。同时，台座60被接地，因而作为一下方电极。台座60上另外穿设有数个基板顶针63，用于在该台座60中载入和载出基板时支撑该基板，且其周围分别设有一轴衬69，以确保基板顶针63及台座60间平顺地相对移动。该腔体14的侧壁上形成一出口52，以在完成淀积制程后，将制程气体抽离至外界。由于在进行薄膜淀积时，设置于基板顶针63周围的轴衬69会受到台座60内的加热器62产生的热能的影响而老化变质，因而需要定期更换这些轴衬69。目前淀积腔的尺寸逐渐增大，因而腔体盖22的重量也增加，需要使用大型吊车或吊具才能将腔体盖22提起，进入淀积腔10内更换轴衬69。同时，在覆盖腔体盖22后，还需要重新校正台座60与扩散器30间的相对位置，因而增加准备时间，降低制造效率。
技术实现思路
为了减少重新校正台座与扩散器间相对位置的频率，本技术提供一种具有存取通道的化学气相淀积腔，以方便更换老化变质的轴衬，提高制造效率。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是，一种淀积腔，用于处理一基板，具有一支撑该基板的台座，该台座可在该淀积腔体中沿着一台座轴进行垂直方向移动；穿过该台座的基板顶针，用于在该台座内载入和载出基板时支撑该基板，其周围分别穿设一轴衬；一腔体盖，结合该腔体，用于覆盖该腔体以形成一封闭空间；及一扩散器，设在该腔体盖内，用于将制程气体扩散至该腔体中，其中，该淀积腔的底部在该基板顶针的正下方形成存取通道；及数个插塞件分别可插入该存取通道以保持淀积腔内的密封真空状态。根据本技术，所述存取通道的侧壁上形成螺纹，且该插塞件的外壁上也形成螺纹，以螺纹结合到该存取通道内。该插塞件还具有密封件，分别设置在该插塞件和该插塞件的凸起底缘之间，以保持淀积腔内的密封真空状态。根据本技术，所述的插塞件分别具有一凸起底缘。根据本技术，所述的插塞件分别借助于穿设过该凸起底缘的螺栓而被固定到该淀积腔的底部，还具有密封件，分别设置在该插塞件和该插塞件的凸起底缘之间，以保持淀积腔内的密封真空状态。根据本技术，所述的插塞件的顶表面在插入该存取通道后与淀积腔底部的顶表面保持水平。根据本技术，所述的插塞件的顶表面在插入该存取通道后低于淀积腔底部的顶表面。根据本技术，所述的插塞件的顶表面在插入该存取通道后凸出于淀积腔底部的顶表面。本技术的优点是，由于在淀积腔底部设置可以方便存取以替换老化变质的轴衬的存取通道，因而在需要替换老化变质的轴衬时，只需要将插塞件从存取通道移开，可以方便进行替换。替换完成后，再将插塞件插入存取通道，而不需要移动腔体盖或其它组件，因而不需要对台座与扩散器间相对位置进行校正，可以减少重新校正台座与扩散器间相对位置的频率，增加制造效率。附图说明图1是运用本技术的具有存取通道的化学气相淀积腔的剖面示意图。图2是图1中A部分的放大剖面示意图。图3是本技术另一实施例的放大剖面示意图。图4是本技术另一实施例的放大立体分解图。图5是一已知淀积腔的剖面示意图。附图标记说明163.基板顶针；164.存取通道； 165.插塞件；166.凸起底缘；167.密封件；168.螺栓；169.轴衬； 171.垫片；B.淀积腔底部； BT.底部顶表面；T.插塞件顶表面具体实施方式图1是运用本技术的淀积腔100的剖面示意图。如图1所示，该淀积腔100与外界隔绝以形成反应空间。该淀积腔100包括一上盖112及一腔体114。一O型环116设置于该上盖112和腔体114之间，以使淀积腔100与外界之间呈现密闭的状态。该上盖112是借助于一腔体盖122与外界隔绝。该腔体盖122内横向设置背衬板134及一扩散器130。制程气体由一气体管线(图中未示)将一设置在淀积腔100外的制程气体源，通过一气体入口170，穿过背衬板134的中间，而被喷射入该背衬板134下的空间内。该被喷射的制程气体首先通过位于该背衬板134下方的一非必要的隔板135扩散后，在隔板及背衬板134的下方，通过在扩散器130上，外形为一平板且其上形成许多小孔的喷头而被喷向一基板的上表面，该基板被放置在一台座160上。一射频(radio frequency)电源180连接到所述的背衬板134及扩散器130，并提供激发被喷射的制程气体而活化流经该扩散器130的制程气体，在基板上淀积成薄膜。亦即，该背衬板134及扩散器130作为一上方电极。腔体114的侧边与上盖112的腔体盖122结合，如上所述，O型环116设置于该上盖112及腔体114之间。台座160是设置在该腔体114内，可在该淀积腔100中沿着一台座轴161进行垂直方向移动。台座160距离扩散器130一段距离，且面向扩散器130，而基板是放置在该台座160的上表面。该台座160内设置一加热器162，用于对放置在该台座160上的基板加热至一适当的温度，以在淀积制程中进行薄膜淀积。同时，台座160被接地，作为一下方电极。台座160上另外穿设有数个基板顶针163，用于在该本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有存取通道的化学气相淀积腔，用于处理一基板，具有一支撑该基板的台座，该台座可在该淀积腔体中沿着一台座轴进行垂直方向移动；穿过该台座设有基板顶针，其支撑在该台座内载入和载出的基板，其周围分别穿设一轴衬；一腔体盖，结合该腔体以形成一封闭空间；及一扩散器，设于该腔体盖内，其特征在于：　　　　该淀积腔的底部在该基板顶针的正下方形成存取通道；及　　　　数个插塞件分别插入该存取通道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：恩斯特凯勒，栗田伸一，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：US[美国]