微机电系统芯片穿透硅通孔封装技术的制备工艺技术方案

本发明专利技术公开了一种微机电系统芯片穿透硅通孔封装技术的制备工艺，采用电镀和化学镀工艺，利用无氰化合物材料在金属线路和ＢＧＡ焊垫的镍金属层上涂覆锡金属层来取代用氰化合物材料而涂覆的金层，并作为保护层和可焊层，由于镍金属层的隔离保护，可以有效减少锡晶须的发生，线路及ＢＧＡ焊垫表面为锡层，具有优良的可焊性，既节约成本，又利于环保。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微机电系统芯片穿透硅通孔封装技术的制备工艺，其特征是：以晶圆的集成电路面为晶圆正面，按下述工艺步骤进行：①．前制程：在玻璃一面形成与晶圆正面的集成电路相匹配的高分子树脂类光刻胶面，通过键合机将所述玻璃的光刻胶面与晶圆正面键合在一起；②．晶圆减薄：对晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度，再对晶圆背面进行等离子蚀刻；③．曝光显影：在晶圆背面涂覆光刻胶后烘烤，按设计对晶圆背面的光刻胶曝光后显影，将晶圆背面需要蚀刻的地方上涂覆的光刻胶显影掉；④．晶圆蚀刻：将晶圆放入等离子蚀刻机，将晶圆背面需要蚀刻的地方蚀刻掉而形成沟槽，该沟槽将晶圆正面部分的导电块暴露出来；⑤．涂覆绝缘层：采用电泳的方式在晶圆背面涂覆...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈闯，
申请(专利权)人：昆山西钛微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]