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在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法技术

技术编号:1323884 阅读:294 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了属于微加工技术和微型检测器件范围的一种在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法。其特征在于:所述传感器采用SOI(绝缘体上硅)硅片制备,即在所述SOI硅片的上层硅中制备单晶硅压阻敏感器件,采用硅的横向干法刻蚀工艺从正面释放所述微悬臂梁使其悬空。本发明专利技术采用SOI硅片、利用各向同性干法刻蚀工艺从正面释放微悬臂梁结构,制作工艺简单易行,成品率高;由SOI硅片上层硅制备单晶硅材料的压阻敏感器件,压阻系数大,可显著提高传感器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法,其特征在于,按制造顺序包括以下步骤:1)以SOI硅片作制备传感器的衬底材料,该SOI硅片由下层硅基体、原有氧化层和上层硅构成;2)对所述SOI硅片进行光刻,采用离子注入方式在 所述SOI硅片的上层硅中形成作为敏感器件的压敏电阻,采用反偏P-N结将所述压敏电阻与所述SOI硅片的上层硅绝缘;或者利用集成电路制造工艺在所述SOI硅片上层硅中制作MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为敏感器件;3)沉 积二氧化硅作为绝缘层,并光刻刻蚀出金属连线接触孔,在硅片绝缘层表面溅射金属,经光刻和刻蚀形成所述敏感器件的金属连线,并淀积氧化硅作为钝化层;4)对硅片进行光刻,依次刻蚀表面形成微悬臂梁图形,露出SOI硅片的下层硅基体表面;5 )采用各向同性反应离子刻蚀工艺对步骤4)中的露出SOI硅片的下层硅基体进行横向刻蚀,从硅片正面释放微结构使其悬空,即形成所述微悬臂梁。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王喆垚周有铮刘理天
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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