【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法,其特征在于,按制造顺序包括以下步骤:1)以SOI硅片作制备传感器的衬底材料,该SOI硅片由下层硅基体、原有氧化层和上层硅构成;2)对所述SOI硅片进行光刻,采用离子注入方式在 所述SOI硅片的上层硅中形成作为敏感器件的压敏电阻,采用反偏P-N结将所述压敏电阻与所述SOI硅片的上层硅绝缘;或者利用集成电路制造工艺在所述SOI硅片上层硅中制作MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为敏感器件;3)沉 积二氧化硅作为绝缘层,并光刻刻蚀出金属连线接触孔,在硅片绝缘层表面溅射金属,经光刻和刻蚀形成所述敏感器件的金属连线,并淀积氧化硅作为钝化层;4)对硅片进行光刻,依次刻蚀表面形成微悬臂梁图形,露出SOI硅片的下层硅基体表面;5 )采用各向同性反应离子刻蚀工艺对步骤4)中的露出SOI硅片的下层硅基体进行横向刻蚀,从硅片正面释放微结构使其悬空,即形成所述微悬臂梁。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王喆垚,周有铮,刘理天,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。