【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在ＳＯＩ硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法，其特征在于，按制造顺序包括以下步骤：１）以ＳＯＩ硅片作制备传感器的衬底材料，该ＳＯＩ硅片由下层硅基体、原有氧化层和上层硅构成；２）对所述ＳＯＩ硅片进行光刻，采用离子注入方式在 所述ＳＯＩ硅片的上层硅中形成作为敏感器件的压敏电阻，采用反偏Ｐ－Ｎ结将所述压敏电阻与所述ＳＯＩ硅片的上层硅绝缘；或者利用集成电路制造工艺在所述ＳＯＩ硅片上层硅中制作ＭＯＳＦＥＴ（金属－氧化物－半导体场效应晶体管）作为敏感器件；３）沉 积二氧化硅作为绝缘层，并光刻刻蚀出金属连线接触孔，在硅片绝缘层表面溅射金属，经光刻和刻蚀形成所述敏感器件的金属连线，并淀积氧化硅作为钝化层；４）对硅片进行光刻，依次刻蚀表面形成微悬臂梁图形，露出ＳＯＩ硅片的下层硅基体表面；５ ）采用各向同性反应离子刻蚀工艺对步骤４）中的露出ＳＯＩ硅片的下层硅基体进行横向刻蚀，从硅片正面释放微结构使其悬空，即形成所述微悬臂梁。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王喆垚，周有铮，刘理天，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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