【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微机电系统芯片穿透硅通孔封装技术的制作工艺,其特征是:以晶圆的集成电路面为晶圆正面,按下述工艺步骤进行:①.前制程:在玻璃一面形成与晶圆正面的集成电路相匹配的高分子树脂类光刻胶面,通过键合机将所述玻璃的光刻胶面与晶圆正面键合在一起;②.晶圆减薄:对晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度,再对晶圆背面进行等离子蚀刻;③.曝光显影:在晶圆背面涂覆光刻胶后烘烤,按设计对晶圆背面的光刻胶曝光后显影,将晶圆背面需要蚀刻的地方上涂覆的光刻胶显影掉;④.晶圆蚀刻:将晶圆放入等离子蚀刻机,将晶圆背面需要蚀刻的地方蚀刻掉而形成沟槽,该沟槽将晶圆正面部分的导电块暴露出来;⑤.涂覆绝缘层:采用电泳的方式在晶圆背面涂覆高分子聚合材料,形成绝缘层后进行烘烤;⑥.激光钻孔:通过激光击穿处于晶圆沟槽处的绝缘层和导电块,使击穿部位的导电块从绝缘层中暴露出来;⑦.溅镀铝:将铝溅镀在整个晶圆背面形成一层导电铝层,使步骤⑥后露出的导电块与导电铝层相连通;⑧.曝光显影:通过电泳的方式在导电铝层的表面涂覆一层光刻胶,按设计对光刻胶曝光显影后形成需要的线路和球栅阵列焊垫的图形,图形部分的导电铝层表面的光刻胶被显影掉,从而露出图形部 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈闯,
申请(专利权)人:昆山西钛微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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