温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种微机电系统芯片穿透硅通孔封装技术的制作工艺，采用电镀和化学镀工艺，利用无氰化合物材料在金属线路和ＢＧＡ焊垫的镍金属层上涂覆锡金属层来取代用氰化合物材料而涂覆的金层，并作为保护层和可焊层，由于镍金属层的隔离保护，可以有效减少锡...
该专利属于昆山西钛微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山西钛微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。