利用自组装分子制造光掩模的方法技术

本发明专利技术涉及利用自组装分子制造光掩模的方法，包括：在透明衬底上形成光阻挡层和在所述光阻挡层上形成硬掩模图案。所述硬掩模图案暴露出光阻挡层的一部分。所述方法还包括在硬掩模图案上沉积自组装分子（ＳＡＭ）层。所述ＳＡＭ层覆盖硬掩模图案和暴露的光阻挡层的一部分。所述方法还包括：在没有被沉积的ＳＡＭ层覆盖的光阻挡层的暴露部分上形成抗蚀剂层图案。所述方法还包括移除ＳＡＭ层以暴露出硬掩模图案和光阻挡层，和利用硬掩模图案和抗蚀剂层图案蚀刻光阻挡层以形成光掩模。此外，所述方法还包括移除硬掩模图案和抗蚀剂层图案。所公开的方法允许利用常规设备和材料制造半导体器件中的精细图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般性涉及制造光掩模的方法，更具体涉及利用自组装分子 (SAM)制造光掩模的方法。
技术介绍
通常，半导体器件由大量图案形成。这些图案通过利用抗蚀剂层图案 作为蚀刻掩模的包括曝光、显影和蚀刻过程的光刻工艺来制造。更具体地， 膝光工艺是将光^^模上图案转移至晶片上的抗蚀剂层的工艺。因此，当光 掩模上的图案没有精确形成时，不可能获得期望的抗蚀剂层图案。近来，随着半导体器件集成JL提高，图案的尺寸已经减小并变得更精 细。目前，电子束光刻方法或激光束方法通常用作在光4^模上形成图案的 方法。在相转移掩模中，在透明衬底上依次形成例如相转移层、铬层和抗 蚀剂层。然后，通过在抗蚀剂层上利用电子束光刻或激光束光刻实施曝光 和显影来形成抗蚀剂层图案。通过利用抗蚀剂层图案作为蚀刻*^^依次移 除铬层和相转移层的暴露部分，形成暴露出透明衬底的透光区的相转移层 图案和铬层图案。然后，移除抗蚀剂层图案，并且随后移除除框架(frame) 区域以外的其余部分中的铬层图案。与通过常规光刻方法的啄iM目比，虽然通过电子束光刻方法或激光束 光刻方法的膝光易于形成精细图案，但是由于半导体器件集成度的快速提 高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光掩模的方法，所述方法包括：　在透明衬底上形成光阻挡层；　在所述光阻挡层上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案暴露出所述光阻挡层的一部分；　在所述硬掩模图案上沉积自组装分子（ＳＡＭ）层，所述ＳＡＭ层覆盖所述硬掩模图案和所 述暴露的光阻挡层的一部分；　在没有被所述沉积的ＳＡＭ层覆盖的所述光阻挡层的暴露部分上形成抗蚀剂层图案；　移除所述ＳＡＭ层以暴露出所述硬掩模图案和所述光阻挡层；　采用所述硬掩模图案和所述抗蚀剂层图案蚀刻所述光阻挡层以形成所述 光掩模；和，　移除所述硬掩模图案和所述抗蚀剂层图案。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柳振镐，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]