非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法技术

本发明专利技术提供一种非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，该方法包括下列步骤：首先，提供具有控制栅极、电荷储存层、源极区与漏极区的存储单元。然后，利用Ｆ－Ｎ穿隧效应对存储单元进行程序化操作，以取得时间对阈值电压的程序化曲线。在程序化操作中，于控制栅极施加正电压。接着，利用Ｆ－Ｎ穿隧效应对存储单元进行擦洗操作，以取得时间对阈值电压的擦洗曲线。在擦洗操作中，于控制栅极施加负电压。正电压与负电压的绝对值相同。之后，从程序化曲线与擦洗曲线的交叉点求出存储单元的固有阈值电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体存储器元件的测定方法，且特别是有关于一种非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法。
技术介绍
典型的快闪存储器系以掺杂的多晶硅制作浮置栅极与控制栅极。当存储器进行程序化(Program)时，适当的程序化的电压分别加到源极区、漏极区与控制栅极上，电子将由源极区经由通道流向漏极区。在此过程中，将有部分的电子会穿过多晶硅浮置栅极层下方的穿隧氧化层，进入并且会均匀分布于整个多晶硅浮置栅极层之中。此种电子穿越穿隧氧化层进入多晶硅浮置栅极层的现象，称为穿隧效应(Tunneling Effect)。穿隧效应可以分成两种情况，一种称为通道热电子注入(Channel Hot—Electron Injection)，另一种称为Fowler-Nordheim穿隧(F_N Tunneling)。通常快闪存储器是以通道热电子程序化，并且通过源极区旁边或通道区域以Fowler-Nordheim穿隧擦洗。 —般而言，在快闪存储器制作完毕后，由于每一存储单元可能会受到工艺影响，而具有不均匀的阈值电压，使得存储器具有较大的阈值电压分布，而可能造成使用上的困难。因此在出货之前，通常会利用紫外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特征在于，所述的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法包括：提供一存储单元，所述存储单元包括一控制栅极、一电荷储存层、一源极区与一漏极区；利用Ｆ－Ｎ穿隧效应对所述存储单元进行一程序化操作，以取得时间对阈值电压的一程序化曲线，在所述程序化操作中，于所述控制栅极施加一第一电压；利用Ｆ－Ｎ穿隧效应对所述存储单元进行一擦洗操作，以取得时间对阈值电压的一擦洗曲线，在所述擦洗操作中，于所述控制栅极施加一第二电压，其中所述第二电压与所述第一电压的绝对值相同，但是极性相反；以及从所述程序化曲线与所述擦洗曲线的交叉点求出所述存储单元的固有阈值电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张肇桦，吴健民，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]