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本发明提供一种非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，该方法包括下列步骤：首先，提供具有控制栅极、电荷储存层、源极区与漏极区的存储单元。然后，利用Ｆ－Ｎ穿隧效应对存储单元进行程序化操作，以取得时间对阈值电压的程序化曲线。在程序化操作中，于控...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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