【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体衬底的制造方法及半导体衬底的制造装置。
技术介绍
近年来，开发出利用SOI (绝缘体上硅)衬底而代替大块状硅衬底的集成电路。通过有效地利用形成在绝缘层上的薄单晶硅层的特长，可以将集成电路 中的晶体管形成为彼此完全分离，并且可以使晶体管成为完全耗尽型。因此， 可以实现高集成、高速驱动、低耗电量等附加价值高的半导体集成电路。作为SOI衬底的制造方法之一，已知组合氢离子注入和剥离而成的氢离子注入剥离法。以下说明氢离子注入剥离法的典型工序。首先，通过对硅衬底注入氢离子，在离其表面有预定深度的区域中形成离 子注入层。接着，通过使成为基础衬底的另外的硅衬底氧化，形成氧化硅膜。 然后，通过将注入有氢离子的硅衬底和另外的硅衬底的氧化硅膜贴紧，将两个 硅衬底贴合在一起。并且，通过进行加热处理，以离子注入层为劈开面将一方 的硅衬底劈开。已知利用氢离子注入剥离法在玻璃衬底上形成单晶硅层的方法(例如，参 照专利文件1)。在专利文件1中，为了去掉由于离子注入而形成的缺陷层、剥离面上的几nm至几十nm的水平差，对剥离面进行机械抛光。日本专利申请公开Heill-09...
【技术保护点】
一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤： 在衬底贴合室配置第一衬底，该衬底贴合室包括设置有多个开口的衬底支撑台、设置在所述多个开口中的衬底支撑机构以及使所述衬底支撑机构升降的升降机构； 在所述第一衬底的上方以不接触于所述第一衬底 的方式配置第二衬底；以及 通过使用所述升降机构使所述衬底支撑机构上升，将所述第一衬底贴合到所述第二衬底。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：小俣贵嗣，森若智昭，大沼英人，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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