本发明专利技术提供一种ＰＣＲＡＭ读取偏置电压确定方法，根据ＰＣＲＡＭ存储单元低阻、高阻均值及标准差，确定ＰＣＲＡＭ读电路偏置电压，具体实现步骤如下：（１）ＰＣＲＡＭ存储单元低阻、高阻均值ｕ及标准差σ测定。（２）根据存储阵列容量允许出错率，计算Ｎ值，当低阻阻值上限值小于ｕ－＋Ｎ－σ－，高阻阻值下限值大于ｕ＋－Ｎ＋σ＋时，低阻与高阻正确率与分别满足要求。（３）判断ｕ－＋Ｎ－σ－＞ｕ＋－Ｎ＋σ＋是否成立，是，转步骤（５）；否，转步骤（４）。（４）计算偏置电阻值ｘ，使低阻与高阻正确率Ｆ－（ｘ）、Ｆ＋（ｘ）分别处于最大值。以偏置电阻Ｒ＝ｘ为负载阻值，计算偏置电压。（５）存储阵列失效，改进工艺。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种PCRAM读取偏置电压确定方法，具体地说是一种。本专利技术提供的 PCRAM读电路偏置电压的确定方法，主要针对PCRAM存储原理与特性，对PCRAM读电路偏置 电压进行优化，并检验监测PCRAM生产工艺。
技术介绍
PCRAM尚处于初期的研究阶段，目前大部分的研究工作集中在降低工作电流以及 新材料的开发。最新的研究现况，Samsung的研究十分积极，Samsung已发表了 0. 1 y m制 程256Mb的试验芯片；今年底2006IEDM将进一步发表90nm制程512Mb的成果，其进度之快 令人赞叹。Hitachi与Renesas的研发重点在于降低工作电流，在IE匿有新的成果发表， 另外，Intel以及STMicro也将有新的研发成果发表。至于旺宏电子与合作伙伴将共同在 IEDM发表的相变化内存技术，更获得ISSCC选为重要论文。此次IEDM论文发表的结果显示 了各大厂对于相变化内存技术均投入相当的心血，其技术的发展速度也越来越快，相信在 不久的将来可见到此产品的问世，相变化内存将在高阶独立内存拥有一席之地并将成为可 携式电子产品的内存方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种PCRAM读取偏置电压确定方法。 本专利技术的目的是按以下方式实现的，根据PCRAM存储单元低阻、高阻均值及标准差，确定PCRAM读电路偏置电压，具体步骤如下 (1) PCRAM存储单元低阻、高阻均值u及标准差o测定； (2)根据存储阵列容量允许出错率，计算N值，当低阻阻值上限值小于u—+N— o —， 高阻阻值下限值大于u+-N+ o +时，低阻与高阻正确率F (x) =_[——— /(x)血与&(x) =f(X)dx分别满足要求； (3)判断u—+N— o — > U+-N+ o +是否成立，是，转步骤(5);否，转步骤(4); (4)计算偏置电阻值x，使低阻与高阻正确率F—(x) 、F+(x)分别处于最大值，以偏置电阻R = x为负载阻值，计算偏置电压； (5)存储阵列失效，改进工艺。 本专利技术的PCRAM读电路偏置电压的确定方法，优异效果是 (1)能够优化PCRAM读电路偏置电压，最大程度降低PCRAM存储单元读取时出错几率。 (2)采用正态分布统计方法，有利于结合PCRAM工艺制程，对生产工艺进行检验与 监测。尤其对海量存储矩阵，效果明显。具体实施例方式根据PCRAM存储单元低阻、高阻均值及标准差，确定PCRAM读电路偏置电压，具体步骤如下 (l)PCRAM存储单元低阻、高阻均值u及标准差o测定； (2)根据存储阵列容量允许出错率，计算N值，当低阻阻值上限值小于u—+N—o—， 高阻阻值下限值大于U+-N+ o +时，低阻与高阻正确率F(x) = /("血与F+(x) = ~+f(x)dx分别满足要求； (3)判断u—+N—o —>11+-^0 +是否成立，是，转步骤(5);否，转步骤(4); (4)计算偏置电阻值x，使低阻与高阻正确率F—(x) 、F+(x)分别处于最大值，以偏置电阻R = x为负载阻值，计算偏置电压； (5)存储阵列失效，改进工艺。 实施例 (1)传统设计在确定PCRAM读电路偏置电压时采用均值方法即高阻阻值加低阻 阻值的二分之一。由于相变材料在高阻与低阻时为不同晶态，其阻值概率分布相同的几率 很小，因此均值不是偏置电压最优值。 为了使偏置电压最优，降低读取出错几率，本专利技术根据概率统计理论，采用正态分 布统计方法，根据PCRAM存储单元低阻、高阻均值及标准差，确定PCRAM读电路偏置电压，得 到最优值。 (2)本专利技术的方法也可用于对生产工艺进行检验与监测，尤其对于海量存储矩阵， 对出错几率要求苛刻，此方法效果明显。 PCRAM生产完成后，通过采样测试，确定高阻与低阻概率分布均值与标准差，根据 产品质量要求，出错几率确定高阻低值下限与低阻高值上限。如有交叉重合，则工艺失败， 改进工艺，如果没有重合，计算偏置电阻最优值，进而确定偏置电压。权利要求一种PCRAM读取偏置电压确定方法，其特征在于，根据PCRAM存储单元低阻、高阻均值及标准差，确定PCRAM读电路偏置电压，具体步骤如下(1)PCRAM存储单元低阻、高阻均值u及标准差σ测定；(2)根据存储阵列容量允许出错率，计算N值，当低阻阻值上限值小于u-+N-σ-，高阻阻值下限值大于u+-N+σ+时，低阻与高阻正确率 <mrow><msub> <mi>F</mi> <mo>-</mo></msub><mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><msubsup> <mo>∫</mo> <msub><mi>u</mi><mo>-</mo> </msub> <mrow><msub> <mi>u</mi> <mo>-</mo></msub><mo>+</mo><msub> <mi>N</mi> <mo>-</mo></msub><msub> <mi>σ</mi> <mo>-</mo></msub> </mrow></msubsup><mi>f</mi><mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo></mrow><mi>dx</mi> </mrow>与 <mrow><msub> <mi>F</mi> <mo>+</mo></msub><mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><msubsup> <mo>∫</mo> <mrow><msub> <mi>u</mi> <mo>+</mo></msub><mo>-</mo><msub> <mi&本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＰＣＲＡＭ读取偏置电压确定方法，其特征在于，根据ＰＣＲＡＭ存储单元低阻、高阻均值及标准差，确定ＰＣＲＡＭ读电路偏置电压，具体步骤如下：（１）ＰＣＲＡＭ存储单元低阻、高阻均值ｕ及标准差σ测定；（２）根据存储阵列容量允许出错率，计算Ｎ值，当低阻阻值上限值小于ｕ↓［－］＋Ｎ↓［－］σ↓［－］，高阻阻值下限值大于ｕ↓［＋］－Ｎ↑［＋］σ↓［＋］时，低阻与高阻正确率Ｆ↓［－］（ｘ）＝∫↓［ｕ↓［－］］↑［ｕ↓［－］＋Ｎ↓［－］σ↓［－］］ｆ（ｘ）ｄｘ与Ｆ↓［＋］（ｘ）＝∫↓［ｕ↓［＋］－Ｎ↓［＋］σ↓［＋］］↑［ｕ↓［＋］］ｆ（ｘ）ｄｘ分别满足要求；（３）判断ｕ↓［－］＋Ｎ↓［－］σ↓［－］＞ｕ↓［＋］－Ｎ↓［＋］σ↓［＋］是否成立，是，转步骤（５）；否，转步骤（４）；（４）计算偏置电阻值ｘ，使低阻与高阻正确率Ｆ↓［－］（ｘ）、Ｆ↓［＋］（ｘ）分别处于最大值，以偏置电阻Ｒ＝ｘ为负载阻值，计算偏置电压；（５）存储阵列失效，改进工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鄢俊兵，石振东，朱越予，周鹏举，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，西安华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]
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