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本发明提供一种ＰＣＲＡＭ读取偏置电压确定方法，根据ＰＣＲＡＭ存储单元低阻、高阻均值及标准差，确定ＰＣＲＡＭ读电路偏置电压，具体实现步骤如下：（１）ＰＣＲＡＭ存储单元低阻、高阻均值ｕ及标准差σ测定。（２）根据存储阵列容量允许出错率，计算Ｎ值，...该专利属于山东华芯半导体有限公司;西安华芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华芯半导体有限公司;西安华芯半导体有限公司授权不得商用。