一种基于MCU控制功放偏置电压装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种基于MCU控制功放偏置电压装置，包括上位机、MCU电路、RF射频电路、比较运算放大器和功放管，所述上位机、MCU电路、RF射频电路、比较运算放大器和功放管依次连接，所述RF射频电路采集所述比较运算放大器和功放管之间的电压，所述MCU电路和RF射频电路之间设置有滤波电路。相对现有技术，本实用新型专利技术在线检测、自动调控、测量精度高、能承受射频大功率及产品稳定性好。

【技术实现步骤摘要】
201521109766

【技术保护点】
一种基于MCU控制功放偏置电压装置，其特征在于：包括上位机（1）、MCU电路（2）、RF射频电路（3）、比较运算放大器（4）和功放管（5），所述上位机（1）、MCU电路（2）、RF射频电路（3）、比较运算放大器（4）和功放管（5）依次连接，所述RF射频电路（3）采集所述比较运算放大器（4）和功放管（5）之间的电压，所述MCU电路（2）和RF射频电路（3）之间设置有滤波电路（6）。

【技术特征摘要】
1.一种基于MCU控制功放偏置电压装置，其特征在于：包括上位机（1）、MCU电路（2）、RF射频电路（3）、比较运算放大器（4）和功放管（5），所述上位机（1）、MCU电路（2）、RF射频电路（3）、比较运算放大器（4）和功放管（5）依次连接，所述RF射频电路（3）采集所述比较运算放大器（4）和功放管（5）之间的电压，所述MCU电路（2）和RF射频电路（3）之间设置有滤波电路（6）。
2.根据权利要求1所述一种基于MCU控制功放偏置电压装置，其特征在于：所述上位机（1）包括写频线、直流电源（11）和计算机（12），所述计算机（12）通过写频线与所述MCU电路（2）连接，所述直流电源（11）与所述计算机（12）连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘长源，杨帆，徐鑫，
申请(专利权)人：福建联拓科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35