一种偏置电压显性相关的失配模型及其提取方法技术

本发明专利技术公开了一种偏置电压显性相关的失配模型及其提取方法，该方法包括如下步骤：步骤一，设计失配模型的器件结构；步骤二，测量与器件尺寸、工作电压相关的失配模型数据；步骤三，建立及修改尺寸相关的器件失配模型；步骤四，对尺寸相关的失配模型进行曲线拟合；步骤五，判断仿真结果与数据拟合是否OK，如否，则返回步骤三，如是，则进入步骤六；步骤六，建立及修改偏置电压相关的器件失配模型；步骤七，对电压相关的失配模型进行曲线拟合；步骤八，判断仿真结果与数据拟合是否OK，如否，则返回步骤六，如是，则进入步骤九；步骤九，进行失配模型验证；本发明专利技术能够反映器件在不同电压下的失配模型特性，适用性更广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路器件失配模型，特别是涉及一种偏置电压显性相关的失 配模型及其提取方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断进步，CMOS工艺器件制造工艺已经发展到了深亚微 米，元件尺寸不断减小，集成电路结构及版图复杂化程度不断提高，器件彼此之间不匹配现 象也随之越来越严重，从而在一定程度上影响到射频/模拟集成电路的性能，甚至会导致 电路不能正常工作。两个邻近器件特性的不匹配，主要是因为工艺生产过程中的随机性和 不可控制的变化。而且器件在不同的工作状态下，比如以MOS (金属氧化物半导体场效应 管）为例，当栅极（gate)、漏极（drain)、衬底（body)的电压不同时，对于器件的界面态而 言是不同的，所呈现的失配情况也是有一定影响的。这一失配现象会影响到多路模拟系统、 差分对、电流镜、带隙基准电压源、A/D转换器、D/A转换器这些基本的模拟电路单元结构； 在数字系统中，匹配也同样重要。在不同工作电压下，器件的失配特性现在引起了设计者很 大的关注。所以引入一个精确的、与偏置电压显性相关的失配模型对于电路设计工程师来 说，是非常重要的。 在器件失配建模的过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏置电压显性相关的失配模型，其特征在于：在原有失配模型中加入与偏置电压相关的函数，通过调整与偏置电压显性相关的失配模型参数，使得该失配模型可以准确表征与器件尺寸、实际偏置电压的关系。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜，商干兵，俞柳江，吴俊徐，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31