非易失性磁存储装置制造方法及图纸

一种具有磁阻效应元件的非易失性磁存储装置包括：（Ａ）具有记录层的层叠结构，在所述记录层中易磁化轴朝向垂直方向；（Ｂ）第一配线，电连接到层叠结构的下部；（Ｃ）第二配线，电连接到层叠结构的上部，其中具有比形成所述记录层的材料的杨氏模量值更高的杨氏模量值的高杨氏模量区域被设置成靠近所述层叠结构的侧表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非易失性磁存储装置。
技术介绍
随着信息和通信设备(特别是诸如便携式终端的个人小型产品)的广泛普及，要 求形成该设备的存储元件和逻辑元件的各种半导体装置具有更高的性能更高的集成度、 更高的速度、更低的功耗等。特别地，非易失性存储器被认为对于网络无处不在的时代是必 不可少的。即使在电源耗尽或出现问题或者服务器和网络之间由于某种故障断开时，重要 信息能够由非易失性存储器保存和保护。另外，近来的便携式设备被设计为通过允许不必 要的电路块待机而尽可能减小功耗。如果能够实现用作高速工作存储器和大容量存储存储 器的非易失性存储器，则能够消除浪费功耗和存储器。另外，如果能够实现高速和大容量的 非易失性存储器，则能够使用"即时开启"功能，其当接通电源时能够实现即时启动。 作为非易失性存储器，可以提到使用半导体材料的闪存和使用铁电材料的铁电随 机存取存储器(FERAM)等。然而，闪存的缺点在于微秒级别的缓慢写入速度。另一方面，在 FERAM中，可重写次数是1012到1014。已指出的问题是FERAM的可重写次数不足以使用 FERAM替代SRAM或DRAM，以及铁电层的微加工困难。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括磁阻效应元件的非易失性磁存储装置，包括：（Ａ）具有记录层的层叠结构，在所述记录层中易磁化轴朝向垂直方向；（Ｂ）第一配线，电连接到所述层叠结构的下部；（Ｃ）第二配线，电连接到所述层叠结构的上部，其中具有比形成所述记录层的材料的杨氏模量值更高的杨氏模量值的高杨氏模量区域被设置成靠近所述层叠结构的侧表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄子光治，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]