【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体涉及存储器技术。具体而言，本专利技术涉及非易失性磁存储器。
技术介绍
计算机和其它数字系统利用存储器以存储程序和数据。通常形式的存储器是随机存取存储器(RAM)。诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置和静态随机存取存储器(SRAM)装置的许多存储器装置是易失性存储器。当电力移去时易失性存储器失去其数据。例如，当传统的个人计算机关闭电源时，易失性存储器通过启动过程再加载。此外即使当连续供给电源时，诸如DRAM装置的一定的易失性存储器也需要定期更新周期，以保持其数据。与易失性存储器装置中遇到的潜在的数据丢失相反，非易失性存储器装置在电源关闭时能够保持数据很长时间。非易失性存储器装置的例子包括只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)、闪速存储器等。传统的非易失性存储器的缺点是相对较大、较慢并且昂贵。此外，传统的非易失性存储器相对限制于写周期能力并且通常仅能被编程以在特定的存储器位置存储数据大约10,000次。这妨碍了诸如闪速存储器装置的传统的非易失性存储器装置用作一般用途的存储器...
【技术保护点】
一种磁随机存取存储器ＭＲＡＭ中的反铁磁稳定伪自旋电子管ＡＳＰＳＶ包括：铁磁材料的硬层；铁磁材料的软层；设置在硬层和软层之间的非铁磁材料的间隔层；以及与软层相邻设置的反铁磁层，其中所述反铁磁层还设置在软层的与硬 层相对的侧面上。
【技术特征摘要】
US 2002-2-6 60/354,623;US 2002-7-10 10/193,4581.一种磁随机存取存储器MRAM中的反铁磁稳定伪自旋电子管ASPSV包括铁磁材料的硬层；铁磁材料的软层；设置在硬层和软层之间的非铁磁材料的间隔层；以及与软层相邻设置的反铁磁层，其中所述反铁磁层还设置在软层的与硬层相对的侧面上。2.根据权利要求1所述的ASPSV，其中反铁磁层包括至少一个锰合金。3.根据权利要求1所述的ASPSV，其中反铁磁层包括锰铁合金(FeMn)。4.根据权利要求1所述的ASPSV，其中反铁磁层的厚度在大约10至大约70的范围内。5.根据权利要求1所述的ASPSV，其中用于硬层和软层中的铁磁材料相同，并且其中软层的厚度在硬层厚度的大约20％至大约80％之间。6.一种磁随机存取存储器MRAM中的反铁磁稳定伪自旋电子管(ASPSV)包括铁磁材料的、适合于以磁性定向存储数据的硬层；铁磁材料的、适合于切换定向以允许数据从硬层读取的软层；设置在硬层和软层之间的非铁磁材料的间隔层；设置在软层的与硬层相对的侧面上的反铁磁层；...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗姆尼R凯蒂，乔尔A德鲁斯，托莫斯J沃格特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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