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本发明涉及提高磁随机存取存储器（ＭＲＡＭ）中的磁存储器单元的稳定性。本发明的实施例将反铁磁层增加到磁存储器单元。反铁磁层可以与ＭＲＡＭ中的软层相邻在软层的与ＭＲＡＭ的硬层相对的侧面上形成。一个实施例还包括在反铁磁层和软层之间的另外的非反铁磁...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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