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一种具有磁阻效应元件的非易失性磁存储装置包括：（Ａ）具有记录层的层叠结构，在所述记录层中易磁化轴朝向垂直方向；（Ｂ）第一配线，电连接到层叠结构的下部；（Ｃ）第二配线，电连接到层叠结构的上部，其中具有比形成所述记录层的材料的杨氏模量值更高的杨...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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