【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装和一种半导体装置,具体涉及一种在高频应用中采用的FBGA(密脚距球形栅格阵列)类型等的半导体封装,和一种在其中将一半导体芯片封装在半导体封装中的半导体装置。
技术介绍
近年来,在电信设备等内所采用的高频应用半导体装置中,大大提高了信号速率,且信号的这种更高速率已受信号波形干扰的限制。为此,需要一种即使在应用更高速率信号时也可抑制波形干扰的半导体装置。例如,这种半导体装置具有使用双金属布线衬底的FBGA类型结构。图1表示在现有技术中具有FBGA类型结构的半导体装置的截面图,图2表示从图1中截取一部分的部分平面图。如图1所示,在现有技术中的FBGA封装类型的半导体装置120中,在绝缘膜100的一个表面上形成信号布线层102,并在另一表面形成覆盖整个表面的接地面104。用一阻焊膜106覆盖除其凸块连接部分以外的信号布线层102。这样,基本构成一布线衬底105。然后,在信号布线层102的凸块连接部分上分别设置焊球108。通过一粘合层110,将在接地面104侧的布线衬底105的一表面粘合到刚性元件112(散热板和支撑板)的周围部分,以避开在刚 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:樋口努,
申请(专利权)人:新光电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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