【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,更具体地讲,涉及这样一种,在其中,借助于使用一种其上形成了待形成的金属导线形状的雕刻图案的板的单一工艺形成多层结构的绝缘膜图案,并且在其中还借助于镶嵌工艺在形成在该绝缘膜图案中的沟槽和通孔中形成该金属导线。
技术介绍
以下将参考图1A至图1D来说明一种在半导体器件中形成金属导线的传统方法。参考图1A,实施一给定的工艺,在一硅基板101上形成一底部低介电绝缘膜102。而后,在底部低介电绝缘膜102上形成一抗抛光层(anti-polishinglayer)103。接着,将抗抛光层103及底部低介电绝缘膜102加工成图案以形成一给定深度的沟槽。而后,在整个结构上相继形成一抗扩散膜104及一铜膜105。接着,借助于化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)工艺去除在抗抛光层103上形成的铜膜105及抗扩散膜104,结果在该沟槽内形成被抗扩散膜104围绕的铜线105。参考图1B,在整个结构上相继形成多层结构的顶部低介电绝缘膜106a至106e。而后,在顶部低介电绝缘膜106e上形成一用于形成一通孔的掩模图案10 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:朴祥均,
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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