立体声分离调整电路及其MOS集成电路制造技术

本发明专利技术可不使动态范围变窄地对分离电平进行调整。在输入混合信号的ＭＯＳ晶体管Ｑ５和输入基准电压的ＭＯＳ晶体管Ｑ６的源极之间并联连接有被串联连接的电阻Ｒ１与开关元件ＳＷ１、Ｒ２与ＳＷ２、Ｒ３与ＳＷ３……。在直流工作中，电阻Ｒ１～Ｒ５不影响ＭＯＳ晶体管Ｑ５的输出电压，在交流工作时，改变并联连接的电阻Ｒ１～Ｒ５的值，由此，可对分离电平进行调整。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种立体声分离调整电路，其中具备：　　　　第一和第二差动放大电路，对用于解调立体声复合信号的预定频率的信号进行差动放大；　　　　第一ＭＯＳ晶体管，与所述第一差动放大电路级联连接，对栅极输入立体声复合信号；　　　　第二ＭＯＳ晶体管，与所述第二差动放大电路级联连接，对栅极输入将立体声复合信号反转后的信号或者基准电压；　　　　切换电路，在所述第一和第二ＭＯＳ晶体管的源极间并联连接有多个包含电阻和开关元件的电路；　　　　第一电流源，连接在所述第一ＭＯＳ晶体管上；以及　　　　第二电流源，连接在所述第二ＭＯＳ晶体管上，　　　　接通、断开所述开关元件，使所述第一和第二ＭＯＳ晶体管的源极间的电阻值变化，调整分离电平。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：青山孝志，宫城弘，
申请(专利权)人：新泻精密株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]