电流模式逻辑-互补金属氧化物半导体转换器制造技术

技术编号:3417449 阅读:174 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电流模式逻辑(CML)-互补金属氧化物半导体(CMOS)转换器,在用于将CML电平信号转换成CMOS电平信号的过程中防止占空比变化,以稳定地操作。CML-CMOS转换器包括:参考电平偏移单元,其被配置成接收在第一参考电平周围摆动的CML信号,以便将摆动参考电平偏移到第二参考电平;以及放大单元,其被配置成放大所述参考电平偏移单元的输出信号,以便将所放大的信号输出为CMOS信号。

【技术实现步骤摘要】
电流模式逻辑-互补金属氧化物半导体转换器相关申请的交叉引用本专利技术要求于2007年9月4日提交的韩国专利申请 No.10-2007-0089532的优先权,该申请通过引用全部结合于此。
技术介绍
本专利技术涉及半导体器件,更特别地,涉及用于将电流模式逻辑(CML) 电平信号转换成互补金属氧化物半导体(CMOS)电平信号的CML-CMOS 转换器。更具体地,本专利技术涉及能够在转换过程中防止占空比变化的 CML-CMOS转换器。在半导体器件中,CML电平信号通常用作高速信号如时钟信号的输 7W输出(1/0)接口信号。CML电平是指由预定直流(DC)电平或指定 参考确定的平均电平。CML电平信号是在称为CML电平的预定DC电 平周围以预定振幅或预定摆动范围切换的信号。例如,在用于输A/输出CML电平信号的装置中,当电源电压(VDD) 电平为1.5V且地电压(VSS)电平为0V时,CML电平信号的CML电 平为1.25V且其摆动范围为0.5V。由于在用于输>^/输出CML电平信号的装置中CML电平信号的摆动 范围与电源电压(VDD)电平和地电压(VSS)电平之间的差相比相对较 小,所以,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流模式逻辑(CML)-互补金属氧化物半导体(CMOS)转换器,包括: 参考电平偏移单元,其被配置成接收在第一参考电平周围摆动的CML信号,以将摆动参考电平偏移到第二参考电平;以及 放大单元,其被配置成放大所述参考电平偏移单元的输出信号,以将所放大的信号输出为CMOS信号。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:金敬勋权大汉
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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