半导体发光元件制造技术

本发明专利技术提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件（１）具备：发光区域（３）、第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体（０≤Ｘ１≤１）层（５）、第２Ａｌ↓［Ｘ２］Ｇａ↓［１－Ｘ２］Ｎ半导体（０≤Ｘ２≤１）层（７）。该半导体发光元件中，发光区域由Ⅲ族氮化物半导体制成，包含ＩｎＡｌＧａＮ半导体层。第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体层例如被镁（Ｍｇ）之类的ｐ型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第２Ａｌ↓［Ｘ２］Ｇａ↓［１－Ｘ］２Ｎ半导体层被设于发光区域和第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体层之间。第２Ａｌ↓［Ｘ２］Ｇａ↓［１－Ｘ２］Ｎ半导体层具有比第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体层的ｐ型掺杂剂浓度更小的ｐ型掺杂剂浓度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。
技术介绍
在文献1(特开2001-237455号公报)中，记载有在紫外频带的短波长区域发光的InAlGaN(氮化铟铝镓)半导体及使用了改InAlGaN半导体的紫外发光元件。使用了InAlGaN半导体的半导体发光元件可以在室温下发出紫外频带的波长的光。在文献2(特开2001-119068号公报)中，记载有紫外线发光元件。紫外线发光元件将10纳米以上的厚度的未掺杂AlGaN包层设于未掺杂(undope)AlGaN活性层和p型AlGaN包层之间。这样，就会防止活性层的电子向p型AlGaN包层的镁的受主能级(acceptor level)迁移。利用该未掺杂AlGaN包层，就可以提供以活性层的发光波长发光并使用了廉价的蓝宝石基板的发光元件。该紫外线发光元件中，为了防止活性层的电子向包层的受主能级迁移，需要使Mg掺杂的AlGaN包层与活性层有相当大的距离，必须使Mg掺杂的AlGaN包层与活性层之间为未掺杂。InAlGaN半导体可以根据其构成元素的组成来幅度较宽地改变能带隙。将InAlGaN半导体用于发光区域的半导体发光元件可以发出与紫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征是，具备：包括ＩｎＡｌＧａＮ半导体层的发光区域、添加ｐ型掺杂剂的第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体（０≤Ｘ１≤１）层、具有比所述第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体层的铝组成更大的铝组成的第２Ａｌ↓［Ｘ２］Ｇａ↓［１－Ｘ２］Ｎ半导体（０≤Ｘ２≤１）层，所述第２Ａｌ↓［Ｘ２］Ｇａ↓［１－Ｘ２］Ｎ半导体（０≤Ｘ２≤１）层被设于所述ＩｎＡｌＧａＮ半导体层和所述第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体层之间，所述第２Ａｌ↓［Ｘ２］Ｇａ↓［１－Ｘ２］Ｎ半导体层的ｐ型掺杂剂浓度小于所述第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体层的ｐ型掺杂剂浓度。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋田胜史，中村孝夫，平山秀树，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，独立行政法人理化学研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]