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本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件（１）具备：发光区域（３）、第１Ａｌ↓［Ｘ１］Ｇａ↓［１－Ｘ１］Ｎ半导体（０≤Ｘ１≤１）层（５）、第２Ａｌ↓［Ｘ２］Ｇａ↓［１－Ｘ２］Ｎ半导体（０≤Ｘ２≤１）层（７）。该半导...该专利属于住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所授权不得商用。