发光二极管的制造方法技术

一种发光二极管及其制造方法，包括提供发光二极管磊晶片，磊晶片上设有多层砷化铝镓磊晶层形成的发光二极管结构成长在吸光基板上；通过软质的透明粘接层将透明基板与发光二极管磊晶层表面接合在一起。具有大幅提高发光二极管的发光效率的功效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种发光二极管(Light Emitting Diode；LED)芯片结构及其制造方法，特别是一种有关磷化铝镓铟(AIGaln P)发光二板管的结构及其制造方法。常用的磷化铝镓铟发光二极管具有一双异质结构(DoubleHeterostructure；DH)，如图6所示，是在一n型砷化镓(GaAs)基板3上成长一铝含量在70-100％的n型(AlxGa1-X)0.5ln0.5P下包覆层4、(AlxGa1-X)0.5ln0.5P活性层5、一铝合量在70-100％的p型(AlxGa1-X)0.5ln0.5P上包覆层6以及一p型高能隙的电流分散层(Current Spreading Layer)7，这一层的材料可以是磷化镓、磷砷化嫁、磷化铟镓或砷化铝镓等，利用改变活性层的组成，便可以改变发光二极管发光波长，使其产生从650nm红色至555nm纯绿色的波长。但此一常用的发光二极管有一缺点，就是活性层产生的光，往下入射至砷化镓基板时，由于砷化镓基板的能隙较小，因此入射至砷化镓基板的光将会被吸收掉，而无法产生高效率的发光二极管。为了避免基板的吸光，有一些文献揭露出LED的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括发光二极管磊晶片，其特征在于：该磊晶片上设有多层磷化铝镓铟磊晶层形成的发光二极管结构成长在吸光基板上；透明基板与该发光二极管磊晶层表面通过软质的透明粘接层接合在一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光能，陈泽澎，张智松，
申请(专利权)人：国联光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]