半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体发光元件及其制造方法。本发明专利技术揭示具备衬底，和由层积在上述衬底上的包含发光层的多层半导体膜构成的，从衬底侧的相反侧的面取出光的多层半导体膜，并且在上述多层半导体膜的光取出部分上，形成具有由（１１１）面构成的或者由（１１１）面近旁的面构成的光取出面的图案，在该光取出面上形成凹凸地构成的半导体发光元件。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管(LED)和半导体激光器(LD)等的半导体发光元件，特别是涉及使光取出面粗糙化的。
技术介绍
至今，高亮度的发光二极管是通过在半导体衬底上形成由双异质结构等构成的发光部分，在它的上面形成电流扩散层构成的。当用树脂封装这种发光二极管时，电流扩散层的上部形成覆盖了用于保护元件的透明树脂层的构造。在这种构造中，电流扩散层(折射率3.1～3.5)和透明树脂层(折射率1.5左右)之间的临界角为25～29度，从而入射角大的光被全反射，使发射到发光元件外部的光的概率显著降低。因此，现状是实际发生的光取出效率约为20％。此外，为了提高光的取出效率，也具有使电流扩散层的表面粗糙化的方法，但是一般地说半导体衬底的主面是(100)面或(100)±数度偏差的面，在它上面生长的各半导体层的表面也是(100)面或(100)±数度偏差的面，而对(100)面或(100)±数度偏差的面进行粗糙化是困难的。
技术实现思路
这样至今，在用树脂封装的发光二极管中，存在着在包含发光层的多层半导体膜的最上层和透明树脂层的交界处，全反射从斜方向入射到这个界面的光，使光取出效率降低那样的问题。又，可以说这个本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体发光元件，它具备衬底，和由层积在上述衬底上的包含发光层的多层半导体膜构成的，从衬底侧的相反侧的面取出光的多层半导体膜，并且在上述多层半导体膜的光取出部分上，形成有具有由（１１１）面构成的或者由（１１１）面近旁的面构成的光取 出面的图案，在该光取出面上形成有凹凸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉武春二，高桥幸一，布谷伸仁，大桥健一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]