半导体发光器件及其制造方法技术

一种半导体发光器件包括：具有第１表面和第２表面的衬底；以及在上述衬底的上述第１表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的９９％以上是凸部部高度为１００ｎｍ以上，底边长度为１０～５００ｎｍ的锥体形状。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)等的。
技术介绍
从来，高辉度的发光二极管是在半导体衬底上边形成由双异质构造等构成的发光部分，其上形成电流扩散层而构成。用树脂封装该发光二极管的场合，电流扩散层的上部覆盖以用于保护器件的透明树脂。该构造中，电流扩散层(折射率3.1～3.5)和透明树脂(折射率约1.5)之间的临界角为25～29度。因此入射角大的光被全反射，向发光器件外部射出的机率显著降低。因而，实际上发生的光取出效率，现状是变成了20％左右。另外，作为使电流扩散层的表面粗糙化的方法，大家都知道用盐酸、硫酸、过氧化氢，或其混合液进行处理使芯片表面粗糙化的方法(特开2000-299494号、特开平4-354382号公报)。可是，这些方法，受衬底结晶性影响，有时因露出面方位而不能粗糙化。因此，不仅常常限制芯片上面粗糙化，而且对提高光取出效率存在制约，难以提高辉度。
技术实现思路
这样现有的用树脂封装的发光二极管内，在含有发光层的半导体多层膜的最上层与透明树脂的边界上，全反射对界面倾斜方向入射的光，存在光取出效率低下的这种问题。并且，该问题不限于发光二极管，而且对面发光型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件包括： 具有第１表面和第２表面的衬底；以及 在上述衬底的上述第１表面上形成、且包含光发射层和电流扩散层的半导体叠层， 其中光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的９９％以上是凸部高度为１００ｎｍ以上，底边长度为１０～５００ｎｍ的锥体形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉山仁，大桥健一，山下敦子，鹫塚章一，赤池康彦，吉武春二，浅川钢児，江头克，藤本明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]