第Ⅲ族元素氮化物半导体元件的生产方法技术

一种生产第１ＩＩ族元素氮化物半导体元件的方法，包括如下步骤：在基体（１１）上形成ｎ型层（１３）；在所述ｎ型层（１３）上形成含发光层的层（１４）；在所述层（１４）上形成ｐ型层（１５），ｐ型层（１５）上涂有ｐ型杂质；蚀刻所述ｎ型层（１３）的至少一部分和所述层（１４）的至少一部分使所述ｎ型层（１３）的至少一部分和所述层（１４）的端面（３１）露出来；在所述ｐ型层的表面侧形成ｐ电极（１８）；在所述ｎ型层（１３）的所述露出来的部分上形成ｎ电极（１９）；用电子束照射所述ｐ型层（１５）以降低所述ｐ型层的电阻；和在所述电子束照射步骤后至少酸化所述层（１４）的所述露出来的端面（３１）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请基于日本专利申请2002-113058，其引入本文作为参考。另一方面，第III族元素氮化物半导体中的p型层上涂上p型掺杂物。采用电子束照射p型层使p型层电阻降低的方法是已知的。专利技术人已经反复地考察了在同一侧面形成n电极和p电极的第三族元素氮化物半导体元件，表明采用电子束照射可以减小p型层的电阻。结果，专利技术人发现，在n电极和p电极之间容易出现泄漏电流，而这是令人担忧的问题。因此本专利技术的目的是抑制泄漏电流。在基体(11)上形成n型层(13)；在所述n型层(13)上形成含发光层的层(14)；在所述层(14)上形成p型层(15)，p型层(15)上涂有p型杂质；蚀刻所述n型层(13)的至少一部分和所述层(14)的至少一部分使所述n型层(13)的至少一部分和所述层(14)的端面(31)露出来；在所述p型层的表面侧形成p电极(18)；在所述n型层(13)的所述露出来的部分上形成n电极(19)；用电子束照射所述p型层(15)以降低所述p型层的电阻；和在所述电子束照射步骤后至少酸化所述层(14)的所述露出来的端面(31)。根据本专利技术方法的一种优选实施方案，所述酸化步骤包括如下分步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产第Ⅲ族元素氮化物半导体元件的方法，包括如下步骤：在基体（１１）上形成ｎ型层（１３）；在所述ｎ型层（１３）上形成含发光层的层（１４）；在所述层（１４）上形成ｐ型层（１５），ｐ型层（１５）上涂有ｐ型杂质；蚀刻所述ｎ型层（ １３）的至少一部分和所述层（１４）的至少一部分使所述ｎ型层（１３）的至少一部分和所述层（１４）的端面（３１）露出来；在所述ｐ型层的表面侧形成ｐ电极（１８）；在所述ｎ型层（１３）的所述露出来的部分上形成ｎ电极（１９）；用电子束照射 所述ｐ型层（１５）以降低所述ｐ型层的电阻；和在所述电子束照射步骤后至少酸化所述层（１４）的所...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：千代敏明，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]