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一种生产第１ＩＩ族元素氮化物半导体元件的方法，包括如下步骤：在基体（１１）上形成ｎ型层（１３）；在所述ｎ型层（１３）上形成含发光层的层（１４）；在所述层（１４）上形成ｐ型层（１５），ｐ型层（１５）上涂有ｐ型杂质；蚀刻所述ｎ型层（１３）的至少...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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