发光器件制造技术

一种半导体发光器件，提供具有增强光辐射能力的大辐射表面。Ｎ型ＧａＮ层和Ｐ型ＧａＮ层叠置以在其间限定界面，通过给该界面施加电压而产生光。开发了其上生长ＧａＮ层的光波导，用于提供发射光的宽辐射表面。辐射表面形成有由第一介质和第二介质的阵列构成的折射层，第一介质和第二介质具有互不相同的各自的折射率，并穿过辐射表面交替设置。这样，可最佳利用光波导以提供大辐射表面，并形成有折射层，减少了光导内部的多次反射，用于使通过光导传输的光有效地通过或辐射。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光器件，特别涉及一种具有增强光辐射能力的半导体发光器件。光波导由其上结晶第一半导体层的透明晶体衬底构成，而第二半导体层在第一半导体层上结晶。晶体衬底由包括蓝宝石、碳化硅、氮化镓、砷化镓、和磷化镓的材料构成。第一和第二半导体层各由包括氮化镓、砷化镓、磷化镓和氮化铝的材料构成。优选地，第一和第二介质以是光波长的1/4倍到4倍的均匀间隔隔开，以便减小在辐射表面的折射率变化，用于有效地从光波导内部辐射光。折射层的总折射率是在折射层以外的一部分光波导的折射率和折射层外部的环境介质的折射率之间，用于减小通过辐射表面的光的折射率变化。第一介质可由晶体衬底限定，而第二介质可以是通过用照射在衬底上的激光束修正晶体衬底而得到的改性介质。利用激光束，可以很容易地将一部分晶体衬底处理成改性介质，用于实现与未处理部分结合的折射层。选择激光束以具有小于1(一)皮秒的脉冲宽度，以便对与第二介质相邻的第一介质，即，激光修正部分基本上没有热损伤，由此提高其中交替排列第一和第二介质的微型结构的折射层。或者，折射层可包括凹陷阵列，以将第一介质定义为相邻凹陷之间的透明晶体衬底的介质，并将第二介质定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括： 产生光的半导体发光单元（２０），所述发光单元由第一导电类型的第一半导体层（２１）和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层（２２）构成，所述第二半导体层整体叠置在所述第一半导体层上，以便在其间限定界面； 一对电极（３１，３２），分别固定到所述第一和第二半导体层上以给界面施加电压，用于从所述界面周围发射光， 叠置在所述第一半导体层上并引导光的光波导（１０；６０），所述第一半导体层直接形成在所述光波导上以便与所述光波导和所述第二半导体层形成整体结构； 所述光波导具有发射所述光的辐射表面， 其特征是，所述辐射表面形成有包括第一介质（４１）和第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中健一郎，久保雅男，松嶋朝明，寺内亮一，
申请(专利权)人：松下电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]