【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法、光电装置以及电子仪器。作为这种具有不同材质的半导体集成电路，可以举例的有光电集成电路(OEIC)。光电集成电路是具有光输入输出装置的集成电路。虽然采用电信号进行集成电路内的信号处理，但是与集成电路外部的输入输出采用光信号进行。然而，由于硅是间接跃迁型半导体而不能发光。所以，有必要将硅同其它的半导体发光元件进行组合来构成集成电路。在这里，有希望成为半导体发光元件的有砷化镓(GaAs)等由化合物半导体形成的表面发射激光器(VCSEL)。但是，由于表面发射激光器与硅晶格不匹配，因此，很难利用晶体取向附生等的半导体制造工艺，直接在硅集成电路上形成。通常，表面发射激光器可以在砷化镓衬底上形成。因此，可以考虑使用一种融合电信号传输电路和光信号传输电路的方法，即，将砷化镓衬底上的表面发射激光器制作成芯片，然后把该芯片机械性地安装在硅集成电路衬底上。但是，把制成芯片的表面发射激光器等的半导体发光元件和光电二极管等的半导体光接收元件机械地安装在硅半导体衬底上，在这种情况下，半导体元件存在着寿命短等可靠性问题，因此，在实际应用上需要抑制...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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