GaAs基激光器制造方法和GaAs激光器技术

本发明专利技术涉及一种使用干蚀刻在从ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ和ＩｎＧａＡｓ组成的组中选择出的一种材料上得到无污染表面，以在ＧａＡｓ基激光器任意结构上获得氮化物层的方法，以及根据该方法制造的ＧａＡｓ基激光器。用掩模遮蔽部分表面以防止发生干蚀刻，形成激光器表面。然后将激光器放置在真空中。此后使用从：化学活性气体，惰性气体，化学活性气体与惰性气体混合物的组中选择出的一种物质进行干蚀刻。使用含氮等离子体产生天然氮化物层。添加保护层和／或反射镜涂层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在GaAs基激光器任意结构上获得氮化物层的方法，以及通过该方法形成的GaAs基激光器(GaAs based laser)。本专利技术主要涉及一种控制GaAs基激光器波导中损耗的方法。在共同未决的美国申请No.09/924605中披露了一种解决激光器端面降质问题的方法。
技术介绍
高功率980nm激光二极管主要用于泵浦掺铒光纤放大器(EDFA)。其他应用可以为掺铥光纤放大器和Er/Yb掺杂光纤，以及使用900...1100nm波带中的稀土过渡金属的波导。GaAs基泵浦激光器有两个主要的失效机理，即激光器端面的降质和波导中的缺陷。已知光吸收导致的激光器端面降质，通过灾难性光学损伤(COD)引起突然失效，并且是装置失效的一个主要原因。如果通过适当的激光器端面钝化技术控制COD，则可控制波导缺陷。波导中的损耗来源于·波导的粗糙引起的光散射；·表面处杂质的非辐射复合，或者表面态的复合。湿法化学蚀刻过程常形成极平滑的波导。以前的干蚀刻方法，如活性粒子蚀刻(RIE)或化学辅助离子束蚀刻(CAIBE)，对于蚀刻深度和壁拓扑结构均产生非常高的处理控制。不过，这些干蚀刻方法与湿蚀刻方本文档来自技高网...

【技术保护点】
使用干蚀刻在ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ和ＩｎＧａＡｓ组成的组中选择出的一种材料上获得无污染表面，以在ＧａＡｓ基激光器任意结构上获得氮化物层的方法，包括：.对激光器表面提供掩模，所述掩模用于遮蔽要防止干蚀刻的所述激光器的部 分表面；.将激光器放置在真空中；.使用从包含：化学活性气体，惰性气体，化学活性气体与惰性气体的混合物的组中选择出的一种物质进行干蚀刻；.使用含氮的等离子体产生天然氮化物层（１０；２４；３５）；.添加保护层（１ ２）和／或反射镜涂层（在Ｍ６，Ｍ９处）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卡斯藤VL林德斯特伦，彼得N布利克斯特，斯万特H瑟德霍尔姆，安南德斯里尼瓦桑，卡尔弗雷德里克卡尔斯特伦，劳伦特克鲁梅纳切尔，克里斯托弗西尔韦纽斯，
申请(专利权)人：科姆雷斯股份公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]