半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术是关于一种半导体发光元件及其制造方法，在窗层（１５）和保护层（２０）之间提供有光线透射层（１９），光线透射层（１９）具有在窗层（１５）和保护层（２０）的折射指数之间的一折射指数。光线透射层（１９）的折射指数ｎ↓［２］，例如在窗层（１５）和保护层（２０）的折射指数的几何平均值的±２０％范围之内。光线透射层（１９）的厚度满足｛（λ／４ｎ↓［２］）×（２ｍ＋１）－（λ／８ｎ↓［２］）｝≤Ｔ≤｛（λ／４ｎ↓［２］）×（２ｍ＋１）＋（λ／８ｎ↓［２］）｝，其中λ表示所发出的光的波长，ｍ表示不小于０的正整数。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件，例如发光二极管、半导体激光器等及其制造方法。
技术介绍
要改善半导体发光元件，例如发光二极管、半导体激光器等的亮度，极为重要的是有效地将发光元件的活性层中所发出的光提取(extract)到元件的外部。也就是说，必须尽可能多地限制发光元件表面的光线反射，使所发出的光泄漏到元件的外部，而增加所谓的光提取效率。一种限制发光元件表面全反射的方法，可以作为限制发光元件表面的光线反射而增加光提取效率的措施。更为具体地说，透过元件表面所发出的光，或者在发光元件表面全反射的光的比率取决于发光元件表层的折射指数(refraction index)及外界(包括透明保护层或者类似物)的折射指数。随着表层与外界之间的折射指数之差变小，临界角就会增大。临界角是表面层与外界之间界面的入射光角度。假设表层的折射指数为n11，且外界的折射指数为n12。在这种情况下，临界角θ可以通过下面的数学表达式1表示(数学表达式1)θ＝sin-1(n11/n12)由数学表达式1显而易见，随着表层的折射指数n11和外界的折射指数n12之差变小，也就是说，随着n11/n12的比率越接近于1，临界本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于其包括：半导体层（１６），形成光学窗；第一光线透射层（１９），形成于上述的半导体层（１６）之上；及第二光线透射层（２０），形成于上述的第一光线透射层（１９）之上，其中上述 的第一光线透射层（１９）的折射指数ｎ↓［２］在不小于｛（ｎ↓［１］×ｎ↓［３］）↑［１／２］×０．８｝且不大于｛（ｎ↓［１］×ｎ↓［３］）↑［１／２］×１．２｝的范围之内，其中，ｎ↓［１］表示上述的半导体层（１６）的折射指数，ｎ↓［３］表示上述的第二光线透射层（２０）的折射指数，且上述的第一光线透射层（１９）的厚度在不...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：室伏仁，武田四郎，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]