【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及III族氮化物为基础的白光LED的制备,氮化镓基材料的共掺杂、离子注入、电子辐照、γ辐照以及退火等方法。
技术介绍
氮化镓(GaN)基白光LED具有节能、使用寿命长、体积小、重量轻、全固态、抗震能力强、环保等优点。现已广泛用于背光源、汽车用灯、装饰灯、小范围照明等领域。随着技术的进步,LED的亮度将不断提高、价格逐步降低而替代目前的白炽灯和日光灯进入普通照明领域。白光LED不仅具有十分重大的社会意义,同时每年超过100亿美元的照明市场也将带来巨大的经济利益。日本日亚化学公司利用蓝光LED发射的蓝光激发YAG荧光粉产生橙光,橙光与未被YAG荧光粉吸收的蓝光混合产生白光,由此诞生了世界上第一个半导体白光LED。目前实用化的实现LED白光的方式可以分为以下三种a)二芯片方式或三芯片方式;b)紫外光芯片+三基色荧光粉方式;c)蓝光芯片+橙色荧光粉方式。二芯片方式或三芯片方式是将蓝、黄两种颜色的芯片或红、绿、蓝三种颜色的芯片装在同一封装外壳内,由外加电路分别控制相应的芯片,而发出白光。由于不存在荧光粉转换效率的影响,这种方式制成的白光LED发光效率最高;但 ...
【技术保护点】
一种发白光的二极管,包括电致发光有源层7、光致发光层1,二者分别位于蓝宝石衬底的两面,该LED为倒装出光结构;。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:冯玉春,牛憨笨,郭宝平,刘文,李忠辉,
申请(专利权)人:深圳大学,
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]
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