氮化物半导体激光器件制造技术

一种氮化物半导体激光器件（１０），包括：氮化物半导体激光元件（１１），其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为４２０ｎｍ的光；连接到所述氮化物半导体激光元件（１１）的散热器（１２）；管座（１４），其上安装有散热器（１２）；以及设置在所述管座（１４）上的光探测元件（１３），用于探测来自所述氮化物半导体激光元件（１１）的激光束。所述氮化物半导体激光元件（１１）、散热器（１２）和光探测元件（１３）密封在连接到管座（１４）的罩（１５）中，且所述罩（１５）之内的气氛具有最高为－３０℃的露点和最高１００ｐｐｍ的氧浓度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化物半导体激光器件，尤其涉及这样一种氮化物半导体激光器件，特征在于其处于罩之中的气氛内，在该罩中密封氮化物半导体激光元件。
技术介绍
日本专利申请第10-313147号中公开了一种可以安装在真空环境或高压环境中的常规半导体激光器件。所公开的半导体激光器件的细节如下。参考图4，在日本专利申请第10-313147号中公开的半导体激光光源包括诸如以下的部件，发射激光束的半导体激光器芯片41；散热器42，其一端上设置有半导体激光器芯片41；管座43，散热器42的下表面连接到该管座43；以及光探测元件44，其设在管座43的表面上用于监视半导体激光器芯片41发出的激光束强度。在管座43的相反表面上贴附有分别用于接地、驱动半导体激光器和光探测元件的电极引线47。接地电极导电地连接到管座，用于驱动半导体激光器和光探测元件的电极分别通过导线键合(未示出)以导电方式连接到半导体激光器芯片41和光探测元件44上。使用合成树脂之类的透光塑性材料49将电极引线47之外的半导体激光器芯片41、散热器42、光探测元件44和管座43全部模制制作图4所示的半导体激光光源。上述公告公开这种形式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体激光器件（１０），包括：氮化物半导体激光元件（１１），其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为４２０ｎｍ的光；以及管座（１４），其具有所述氮化物半导体激光元件（１１），其中所述氮化物半导体激光元件（１１） 密封在罩（１５）之内，该罩连接到所述管座（１４），且所述罩（１５）中的气氛具有最高－３０℃的露点和最高１００ｐｐｍ的氧浓度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：津田有三，花冈大介，石田真也，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]