用于制作垂直共振腔面射型激光器的方法技术

本发明专利技术揭示一种通过在所述衬底上形成一第一平行镜面堆叠、在所述第一平行镜面堆叠上形成一活性及间隔层并在所述活性及间隔层上形成一第二平行镜面堆叠而在一衬底上制造一垂直共振腔面射型激光器的方法。然后，蚀刻所述第二平行镜面堆叠以界定一结构，随后，氧化所述结构的周边侧壁以在所述结构内形成一电流限制中心区域，及蚀刻所述结构外侧壁的至少一部分来移除已氧化的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及垂直共振腔面射型激光器(VCSELs)且更具体而言，涉及通过选择性氧化台面结构而形成的VCSELs。
技术介绍
一典型的VCSEL配置包括前后设置在衬底圆片表面上的两个镜面之间的一活性区域。一绝缘区域迫使电流流经一小孔隙，且该器件发射垂直于圆片表面的激光(即，VCSEL的“垂直”部分)。一种类型的VCSEL，具体而言，其中通过一质子植入形成绝缘区域的质子VCSEL曾主导了VCSEL的早期商业历史。在氧化物导向型VCSEL中，绝缘区域是通过部分氧化镜面结构内的一薄高含铝层而形成的。此相同氧化过程可应用于其它半导体结构，以产生光电子及纯电子器件。垂直共振腔面射型激光器(VCSELs)已经成为供存储区域网络(SAN)及局部区域网络(LAN)应用中所用收发机选用的激光技术。存在两种主要技术平台供制作VCSELs用。此等平台中的差异系基于不同的电流限制技术，或通过离子植入或通过氧化物层来限制。在一VCSEL内形成一电流限制结构的两种方法是离子植入与选择性氧化。在离子植入技术中，离子被植入在上部反射层的一部分内以形成一高电阻区域，由此来限制电流流向一规定的区域。在选择性氧化技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造一垂直共振腔面射型激光器的方法，其包括：提供一衬底；在所述衬底上形成一第一平行镜面堆叠；在所述第一平行镜面堆叠上形成一活性及间隔层；在所述活性及间隔层上形成一第二平行镜面堆叠；蚀刻所述第二 平行镜面堆叠以界定一台面型结构；氧化所述台面型结构以在所述台面内形成一电流限制中心区域；及蚀刻所述台面结构的外侧壁来移除已氧化材料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：道格柯林斯，
申请(专利权)人：昂科公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]