工字型垂直腔面发射激光器制造技术

本发明专利技术为一种半导体激光器。 本发明专利技术为一种垂直腔表面发射出光的半导体激光器。它是在ＧａＡｓ单晶片上外延生长成有源区和多层异质外延薄膜以形成上、下反射镜，为把电流限制在较小的有源区内，以钨丝做掩膜进行质子轰击，使有源区左右形成高阻区，在有源区前后刻蚀出沟槽进行电流隔离。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种垂直腔面发射半导体激光器，由下电极１，ｎ－ＧａＡｓ衬底２，多层ｎ－Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ／Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ａｓ异质薄膜下反射镜３，ｎ－Ａｌ↓［ｚ］Ｇａ↓［１－ｚ］Ａｓ下限制层４，ＧａＡｓ有源层５，ｐ－Ａｌ↓［ｚ］Ｇａ↓［１－ｚ］Ａｓ上限制层６，多层ｐ－Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ／Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ａｓ异质薄膜上反射镜７，上电极８，和电流注入有源区１２等构成，本专利技术的特征在于电流注入有源区１２的左右两侧是质子轰击高阻区１１，前后两侧是沟槽１０。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜国同，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：22[中国|吉林]