半导体激光器及其制作方法技术

一种半导体激光器含有一个活性层和一对包层，这对层形成得把该活性层夹在它们中间。该半导体激光器还被提供有一个条带结构，使活性层的载流子注入区具有沿腔方向的条带形状。条带结构结构宽度的设定使得在腔发射端面处的值Ｗ１和在发射端面的对侧端面处的值Ｗ２满足关系Ｗ１＜Ｗ２，并且该宽度沿着腔方向从值Ｗ２减小到值Ｗ１，值Ｗ２约为２μｍ或较大。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体激光器，包括：一个由Ａｌ ＧａＩｎＰ型材料构成的活性层；以及一对把该活性层夹在其间的包层，其中还设置了一个条带结构，用来使活性层的截流子注入区在腔方向上具有条带形状，并且该条带结构的宽度设定使得在腔发射端面处的值Ｗ １和在发射端面的对侧端面处的值Ｗ２满足关系Ｗ１＜Ｗ２，并且该宽度沿着腔方向从值Ｗ２减小到值Ｗ１，Ｗ２的值约为２μｍ或较大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木户口，足立秀人，熊康仁，鬼头雅弘，雅博，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]