【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种确定化合物半导体层的临界薄膜厚度的方法，以及一种采用上述确定方法来制造半导体器件的方法。在一种非完全点阵匹配系统中，可以形成其厚度小于临界薄膜厚度的层以及包含应变的器件。为了获得为光学器件所需的发射波长，需要改变有源层的混合晶体比例和有源层的厚度。然而，为了改善基本性能，需要严格地约束载流子或光子，或者采用具有内部应变的薄膜来作为有源层或者与有源层相临近的层，从而抑制缺陷和晶格位错的扩散。然而，通常需要采用电子显微镜来检查晶格位错，以便获得临界薄膜厚度。这样的检查工作需要耗费大量的人力，因此难于以优化方式来制造光学器件，并且不能获得具有优良性能的半导体器件。本专利技术的目的是提供一种用于确定化合物半导体层的临界薄膜厚度的方法，该方法在优化临界薄膜厚度方面具有优良的性能，并提供一种采用上述方法的用于制造半导体器件的方法，该方法在优化光学半导体器件有源层的薄膜厚度方面具有优良的性能。本专利技术提供了一种用于确定化合物半导体层的临界薄膜厚度的方法，以及一种采用上述确定方法来制造半导体器件的方法，以便实现上述目的。本专利技术提供了一种用于确定化...
【技术保护点】
一种确定化合物半导体层的临界薄膜厚度的方法，包括如下步骤：通过测量与薄膜厚度相对应的一种化合物半导体层的荧光，得到该化合物半导体层的薄膜厚度与测得的荧光强度之间的关系；将在所述关系中所述荧光强度达到峰值时的所述薄膜厚度定为临界薄膜厚 度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：玉村好司，本弘范，长井政春，池田昌夫，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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