半导体激光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供可在圆片状态下简便地得到窗口结构可控性良好的半导体激光装置及其制造方法。本发明专利技术的半导体激光装置包括：在具有（２，１，１）面的ｎ型ＧａＡｓ衬底２６上以晶体生长方式形成晶体生长层２、１０、１１、１２、６和７输出激光的（１，１，１）面上形成的窗口层１９以及形成在晶体生长层中的接触层７上表面和ｎ型ＧａＡｓ衬底２６的下表面上的电极８和９。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有高输出功率的。近年来，确立了晶体生长法，特别是有机金属汽相生长法(MOCVD法)，已可得到多种多样可控性良好的混晶化合物晶体。随着晶体生长法的发展，在半导体激光装置方面也取得了迅速的进步，特别是使用AlGaInP系列晶体的可见光半导激光装置在680nm和670nm的波段已在进行实用化方面的工作，现在最大的课题是如何使其使用波长更短和使输出功率更高。其中，在提高输出功率方面，使输出激光的窗口中的端面破坏光输出功率电平(COD电平)降到2MW/cm2以下是一个难关，已提出和报告了许多克服该难关的手段。例如，在1991年电子通信学会春季全国大会GC-3上，或在Japanese Journal of Applied Physics Vol.29 No.9，Sep.1990，ppL.1666-L1668等上，已报告了通过在输出激光的窗口端面附近进行锌(Zn)扩散、只使该经过锌扩散的窗口层具备高能量来形成一种窗口结构的方法。图6和图7是具备经过锌扩散的窗口层的窗口结构的半导体激光装置的斜视图(a)和剖面图(b)，图8(a)-(d)是说明其制造方法的斜视图。以下按照图6、图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，其特征具备：在｛２，１，１｝面的ＧａＡｓ衬底上晶体生长形成的一ｊｊｊ体生长层，该晶体生长层在第一和第二包层间至少具有一个有源层；在该晶体生长层的｛１，１，１｝面上形成一个窗口面；在该窗口面上层叠的一个窗口层，以及设置在上述晶体生长层的上表面和上述ＧａＡｓ衬底的下表面上的电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：早藤纪生，元田隆，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]