半导体激光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术的目的是制得一种发射从紫外到绿色光这一范围的短波长光的高性能的半导体激光二极管和提供其制造方法。其构成是先在蓝宝石基板１上边形成ｎ型ＧａＮ接触层５，然后在此ｎ型ＧａＮ接触层５上边形成把ｎ型ＡｌＧａＮ层７、非掺杂ＧａＮ活性层８、ｐ型ＡｌＧａＮ包层９、ｐ型ＧａＮ接触层１０、ｐ型半导体反射镜１１迭层起来的外延层。这样一来，蓝宝石基板１的背面和ｎ型接触层５的面连续地构成为几乎同一平面，并在此同一平面上形成与ｎ型接触层５连接的电极。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及由化合物半导体构成，波长为从紫外到绿色的短波长光的。现在，由于在蓝宝石基板上外延生长III-V族氮化物技术的进步，应用III-V族化全物半导体材料的发蓝光的发光二极管已发展到商品化的地步。例如，在“日经科学杂志”1994年10月号的第44页～第55页上，就登载有用有机金属化学气相淀积法(MOCVD法)向蓝宝石基板上淀积GaInN/AlGaN系统的双异质结构造而制成的发光的二极管的文章。通过把这种GaN系统的发蓝光材料应用于通常的激光二极管的构造的办法，可以制得短波长的半导体激光二极管。例如，附图说明图19是人们早已熟知的GaAs系统的面发光型激光二极管的构成的剖面图。图19的激光二极管给出了一种从nGaAs基板开始依次迭层上nGaAs缓冲层22、nAlGaAs包层23、非掺杂GaAs活性层24、pAlGaAs包层25、nGaAs阻挡(block)层26、pGaAs接触层27的构造。此外，使激光振荡的领域采用nAlGaAs包层23、非掺杂GaAs活性层24、pAlGaAs包层25和pGaAs接触层27的迭层构造、把nAlGaAs包层23一侧用前面反射膜28，pGaA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光二极管，其特征是：它包括有孔的绝缘性基板、在上述基板的上述孔内将其设置为在该基板的主面一侧有露出面的由第１导电型半导体构成的第１接触层、以由第１导电型半导体构成的第１包层、活性层、由第２导电型半电体构成的第２包层、 由第２导电型半导体构成的第２接触层的顺序进行迭层而构成、且形成为使上述第１包层与上述第１接触层进行接合的半导体层、其中在上述第１接触层上设置有使上述第１包层在上述基板的主面一侧露出来的开口部分，在上述开口中在第１包层的表面上形成的第１反 射镜、在上述半导体层的第２接触层上形成为使之与该节１反射镜相对的第２反射镜、在上述基板的主面上形成为使之...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：早藤纪生，川津善平，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]