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本发明的目的是制得一种发射从紫外到绿色光这一范围的短波长光的高性能的半导体激光二极管和提供其制造方法。其构成是先在蓝宝石基板１上边形成ｎ型ＧａＮ接触层５，然后在此ｎ型ＧａＮ接触层５上边形成把ｎ型ＡｌＧａＮ层７、非掺杂ＧａＮ活性层８、ｐ型Ａｌ...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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