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本发明的目的是提供可在圆片状态下简便地得到窗口结构可控性良好的半导体激光装置及其制造方法。本发明的半导体激光装置包括：在具有（２，１，１）面的ｎ型ＧａＡｓ衬底２６上以晶体生长方式形成晶体生长层２、１０、１１、１２、６和７输出激光的（１，１，...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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