无污染激光器反射镜的获得方法及其钝化技术

本发明专利技术涉及一种在ＧａＡｓ基激光腔的晶体反射镜端面处获得包括ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ和ＩｎＧａＡｓ组成的组中选择出的一种材料的无污染表面的方法。切除暴露于环境大气的晶体反射镜端面，其中环境大气包括从空气，干空气和干氮氛围组成的组中选择出的一种物质。通过在真空中进行干蚀刻，去除反射镜端面暴露于环境大气期间获得的所有氧化物和其他外界污染物。之后，通过用氮进行处理在反射镜端面（７）上生长天然氮化物层（８）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种获得无污染激光器反射镜和使用干蚀刻和沉积进行钝化的方法。
技术介绍
决定制造可靠的980nm泵浦激光器的一个关键因素是激光器端面的质量。钝化是半导体行业中常用的一种技术。所有半导体都需要一层薄膜作为杂质阻挡层。杂质会作为缺陷，例如通过氧化改变电学或光学特性，或者通常会损伤晶体结构。通过将硅片暴露于空气中的氧中而对硅片自行进行钝化。氧将形成保护性SiO2层。GaAs基激光器(GaAsbased laser)的氧化对光学性能非常有害，从而必须将另一种材料涂覆在激光器端面上。已知由光吸收所导致的激光器端面降质，通过灾难性光学损伤(COD)引起突然失效，并且成为装置失效的一个主要原因。这对于高功率操作(通常超过150mW)而言更加严重。COD的产生是由于输出端面处的光吸收，以及随后通过表面态进行的非辐射复合。光吸收和非辐射复合使温度升高，并从而导致带隙减小。这一过程起正反馈的作用，直至温度变得非常高，并发生COD为止。从而，为了抑制这种不希望的效果，必须使两个主要因素光吸收和表面复合中的至少一种最小。通过增大表面态密度和/或表面处的杂质(陷阱)数量而增进表面复合。通过包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由激光器晶片获得激光二极管的方法，包括：在环境大气中将激光器晶片（Ｗ）切成棒（Ｂ），提供至少第一端面；将至少一个棒放置在真空中；使用干蚀刻，例如使用包括从化学惰性和活性气体如氮，氢，氩，卤素（例如Ｃｌ，Ｂｒ或Ｉ基 化合物）和烃类气体（例如ＣＨ↓［４］和Ｃ↓［２］Ｈ↓［６］）以及它们的混合物组成的组中选择出的至少一种材料的等离子体进行离子束蚀刻，从所述至少第一端面去除表面氧化物和污染物；使用含氮等离子体在所述至少第一端面上产生第一氮化表面层（８ ），氮离子被从等离子体到该表面加速（例如被提取作为离子束），氮化层包括从ＡＩＮ，ＧａＮ，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：LKV林德斯特伦，彼得N布利克斯特，斯万特H瑟德霍尔姆，安南德斯里尼瓦桑，卡尔弗雷德里克卡尔斯特伦，
申请(专利权)人：科姆雷斯股份公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]